电子科技大学太惠玲获国家专利权
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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种三氧化钼的氢气传感器湿度增益膜获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116773613B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310741382.2，技术领域涉及：G01N27/12；该发明授权一种三氧化钼的氢气传感器湿度增益膜是由太惠玲;李勇亮;袁震;蒋亚东;阳瑞霖;张建萍设计研发完成，并于2023-06-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种三氧化钼的氢气传感器湿度增益膜在说明书摘要公布了：本发明属于气体传感技术领域，涉及氢气传感器，提供一种三氧化钼的氢气传感器湿度增益膜，进而与钯基氢敏薄膜、衬底共同构成氢气传感器，用以解决现有氢气传感器因环境湿度影响而响应时间缓慢、灵敏度下降等问题。本发明通过热蒸发工艺的设计，于钯基氢敏薄膜表面成功沉积得到厚度为2～10nm且表面形貌呈非连续纳米岛状结构的三氧化钼薄膜以作为湿度增益膜；通过该三氧化钼薄膜在湿度环境下独特的逆向释氢效应，加速氢原子接触钯膜表面活性位点，减弱水分子对钯基氢气传感器响应速度的影响，即在允许氢分子扩散通过至钯基氢敏膜表面的同时将水分子扩散抑制在湿度增益膜表面，最终实现湿度环境下快速检测氢气泄漏的目标。
本发明授权一种三氧化钼的氢气传感器湿度增益膜在权利要求书中公布了：1.一种三氧化钼的氢气传感器湿度增益膜，其特征在于，所述湿度增益膜具体为三氧化钼薄膜，三氧化钼薄膜设置于钯基氢敏薄膜表面，钯基氢敏薄膜设置于硅片衬底上，三者共同构成钯基氢气传感器；所述三氧化钼薄膜的厚度为2~10nm、且三氧化钼薄膜表面形貌呈非连续纳米岛状结构。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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