慧与发展有限责任合伙企业S·张获国家专利权
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龙图腾网获悉慧与发展有限责任合伙企业申请的专利具有增强的相位调谐的混合金属氧化物半导体电容器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116794860B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211317760.6，技术领域涉及：G02F1/015；该发明授权具有增强的相位调谐的混合金属氧化物半导体电容器是由S·张;袁源;梁迪;R·G·博索莱伊设计研发完成，并于2022-10-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有增强的相位调谐的混合金属氧化物半导体电容器在说明书摘要公布了：本公开涉及具有增强的相位调谐的混合金属氧化物半导体电容器，所公开的实施方式改进了如混合半导体上金属电容器MOSCAPIII‑VSi微环激光器等光学器件的相位调谐效率。本公开将硅器件集成到本文所公开的光学器件的波导结构中，例如，波导电阻器加热器、波导PIN二极管、以及波导PN二极管。在一些示例中，这些光学器件是由两个半导体层之间的电介质层形成的MOSCAP，该MOSCAP经由将取决于偏压极性而发生的等离子体色散和或载流子色散效应来实现微小的相位调谐。根据本文所公开的实施方式，基于集成到该波导中的所公开的硅器件，通过加热、载流子注入、和或附加的等离子体色散来增强该等离子体色散和或载流子色散效应。
本发明授权具有增强的相位调谐的混合金属氧化物半导体电容器在权利要求书中公布了：1.一种光学器件，包括： 衬底； 异质金属氧化物半导体MOS电容器，所述异质MOS电容器形成于所述衬底上，所述异质MOS电容器包括： 光波导； 第一阴极，所述第一阴极包括第一材料并且形成于所述光波导中； 阳极，所述阳极形成于所述光波导中，所述阳极包括与所述第一材料不同的第二材料；以及 电介质，所述电介质设置在所述第一阴极与所述阳极之间，所述电介质包括所述第一材料的氧化物和所述第二材料的氧化物，其中，所述异质MOS电容器被限定在所述阳极与所述第一阴极之间；以及 半导体器件层，所述半导体器件层设置在所述衬底与所述异质MOS电容器之间并且形成于所述光波导中。
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