泰科天润半导体科技(北京)有限公司王俊兴获国家专利权
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龙图腾网获悉泰科天润半导体科技(北京)有限公司申请的专利一种碳化硅器件老化测试方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116953459B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211424491.3,技术领域涉及:G01R31/26;该发明授权一种碳化硅器件老化测试方法是由王俊兴;孙宇晗;李志雨;黄波;邵天骢;李志君设计研发完成,并于2022-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种碳化硅器件老化测试方法在说明书摘要公布了:本发明提供一种碳化硅器件老化测试方法包括:测试平台包括级联的前级同步型Boost桥臂电路和后级同步型Buck桥臂电路;直流电源通过二极管后输入到前级同步型Boost桥臂电路,与后级同步型Buck桥臂电路的输出端相连;直流电源根据测试工况进行设置,测试平台通过电路中功率电感实现能量在测试平台中的循环流动;通过设置该测试平台的工作模态,设定被测碳化硅器件的开关频率、漏源极电压和漏极电流,实现在不同测试工况下加速碳化硅器件的老化,得到老化测试结果;测试平台将碳化硅器件放置于桥臂结构电路中,从而充分考虑了碳化硅器件连续工作情况下串扰对栅氧可靠性影响,提高了对碳化硅器件老化测试结果的精确程度。
本发明授权一种碳化硅器件老化测试方法在权利要求书中公布了:1.一种碳化硅器件老化测试方法,其特征在于:包括:测试平台,所述测试平台以同步型级联Boost-Buck为拓扑的桥臂型结构电路,包括前级同步型Boost桥臂电路和后级同步型Buck桥臂电路,将前级同步型Boost桥臂电路以及后级同步型Buck桥臂电路进行级联; 直流电源通过二极管后输入到前级同步型Boost桥臂电路,并与后级同步型Buck桥臂电路的输出端相连;所述直流电源根据测试工况进行设置,测试平台通过前级同步型Boost桥臂电路的功率电感和后级同步型Buck桥臂电路的功率电感实现能量在测试平台中的循环流动; 通过设置该测试平台的工作模态,并设定被测碳化硅器件的开关频率、漏源极电压和漏极电流,实现在不同测试工况下加速碳化硅器件的老化,得到老化测试结果; 所述测试平台包括直流电源以及二极管BD; 所述前级同步型Boost桥臂电路包括:电容C1、功率电感L1、下桥臂碳化硅器件Q1、第一驱动单元、上桥臂碳化硅器件Q2以及第二驱动单元; 所述后级同步型Buck桥臂电路包括:电容C2、功率电感L2、上桥臂碳化硅器件Q3、第三驱动单元、下桥臂碳化硅器件Q4以及第四驱动单元; 所述直流电源正极通过二极管BD分别连接所述电容C1的一端部、功率电感L1的一端部以及功率电感L2的一端部;所述直流电源负极分别连接所述电容C1的另一端部、下桥臂碳化硅器件Q1的源极、电容C2的一端部以及下桥臂碳化硅器件Q4的源极;所述功率电感L1的另一端部连接至所述上桥臂碳化硅器件Q2的源极以及下桥臂碳化硅器件Q1的漏极,所述上桥臂碳化硅器件Q2的漏极分别连接所述电容C2的另一端部以及上桥臂碳化硅器件Q3的漏极,所述功率电感L2的另一端部分别连接所述上桥臂碳化硅器件Q3的源极以及下桥臂碳化硅器件Q4的漏极;所述第一驱动单元用于驱动下桥臂碳化硅器件Q1,所述第二驱动单元用于驱动上桥臂碳化硅器件Q2,所述第三驱动单元用于驱动上桥臂碳化硅器件Q3,所述第四驱动单元用于驱动下桥臂碳化硅器件Q4。
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