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龙图腾网获悉福州大学申请的专利一种碳纳米管与SnZn合金集成以实现可控热管理的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117144361B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311126312.2，技术领域涉及：C23C28/00；该发明授权一种碳纳米管与SnZn合金集成以实现可控热管理的方法是由朱敏敏;赵安文;杨丹;张海忠设计研发完成，并于2023-09-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种碳纳米管与SnZn合金集成以实现可控热管理的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种碳纳米管与SnZn合金集成以实现可控热管理的方法。该方法采用原子层沉积技术ALD在含SiO2氧化层的硅晶片上制备了铁及氧化铝薄膜作为碳纳米管生长的催化剂，然后采用化学气相沉积技术CVD，以铁氧化铝为催化剂，在硅晶圆上制备碳纳米管晶圆阵列。该方法可以控制碳纳米管的薄膜微观结构、介电常数以及其他电学性能等特点。同时利用碳纳米管与SnZn合金集成，成功地实现了工作温度从200℃到400℃的控制。本发明给出了碳纳米管从催化剂制备到薄膜生长的完整流程以及将碳纳米管与SnZn合金集成以实现可控热管理的方法，可用于基于碳纳米管复合材料且具有宽范围工作温度要求的器件制造。

本发明授权一种碳纳米管与SnZn合金集成以实现可控热管理的方法在权利要求书中公布了：1.一种碳纳米管与SnZn合金集成以实现可控热管理的方法，其特征在于，采用化学气相沉积技术制备碳纳米管，采用电子束沉积技术将碳纳米管与SnZn合金集成；具体包括如下步骤： 步骤一：清洗衬底，采用原子层沉积法在含SiO2氧化层的硅晶片上依次沉积氧化铝薄膜和铁薄膜，制备铁氧化铝薄膜作为碳纳米管生长的催化剂；在氩气、氢气和水存在下，将铁氧化铝薄膜进行退火处理； 步骤二：采用化学气相沉积技术，以乙烯蒸汽为碳源，以氩气和氢气作为氛围气体，在步骤一生长催化剂的衬底上合成碳纳米管，经过10～30分钟的生长，衬底表面生长出均匀密集的碳纳米管阵列，从而完成碳纳米管材料的制备； 步骤三：采用电子束沉积技术在步骤二制备的碳纳米管上沉积SnZn合金薄膜，通过控制Sn、Zn的化学计量比来实现200℃~400℃工作温度范围的可控热管理； 其中，步骤一中退火处理温度为600℃，时间为15分钟； 步骤二化学气相沉积法沉积碳纳米管前将温度提高到500~700℃，用3000~5000sccm氩气和1000~2000sccm氢气在催化剂上处理10~20分钟； 步骤三制备的SnZn合金薄膜的厚度在400~600nm，化学式为SnxZn1-x，x=0.1-0.9。

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