华南理工大学李国强获国家专利权
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龙图腾网获悉华南理工大学申请的专利一种GaAs异质结太阳电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117238999B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311245922.4，技术领域涉及：H10F10/16；该发明授权一种GaAs异质结太阳电池及其制备方法是由李国强;郭超英;莫由天;郭建森设计研发完成，并于2023-09-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种GaAs异质结太阳电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种GaAs异质结太阳电池及其制备方法。本发明的GaAs异质结太阳电池的组成包括依次层叠设置的背电极层、GaAs衬底、第一碘化亚铜层、碳纳米管层、第二碘化亚铜层和顶电极层。本发明的GaAs异质结太阳电池的制备方法包括以下步骤：1制备背电极层；2制备第一碘化亚铜层；3制备碳纳米管层；4制备第二碘化亚铜层；5制备顶电极层。本发明的GaAs异质结太阳电池具有光电转换效率高、稳定性好等优点，且其制备工艺简单、成本低廉，适合进行大规模工业化应用。
本发明授权一种GaAs异质结太阳电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种GaAs异质结太阳电池，其特征在于，组成包括依次层叠设置的背电极层、GaAs衬底、第一碘化亚铜层、碳纳米管层、第二碘化亚铜层和顶电极层；所述GaAs衬底为Si掺杂的GaAs衬底，Si的掺杂浓度为1.0×1018cm3～2.5×1018cm3；所述GaAs衬底的厚度为100μm～500μm；所述第一碘化亚铜层的厚度为50nm～300nm；所述第二碘化亚铜层的厚度为50nm～300nm；所述碳纳米管层中的碳纳米管的长度为5μm～30μm，直径为1nm～2nm。
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