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龙图腾网获悉湖北九峰山实验室申请的专利一种宽禁带半导体沟槽MOSFET器件结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117276315B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311338595.7，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种宽禁带半导体沟槽MOSFET器件结构及其制作方法是由成志杰;袁俊;郭飞;王宽;陈伟;吴阳阳设计研发完成，并于2023-10-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种宽禁带半导体沟槽MOSFET器件结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明具体涉及一种宽禁带半导体沟槽MOSFET器件结构，至少包括衬底、外延生长在衬底上的外延层、制作在外延层中的栅电极、制作在栅电极之间的源极P+区；外延层包括依次层叠制作在衬底上的外延层一和外延层二，外延层一和外延层二之间制作有P+埋层，栅电极的正下方制作有P+掩蔽层且其位于外延层二中，P+埋层中制作有N+电流通道，P+掩蔽层通过P+接地柱与P+埋层电连接；源极P+区包括第一源极P+区和第二源极P+区，第一源极P+区和第二源极P+区均与P+埋层电连接，第一源极P+区和第二源极P+区中的一个和或P+接地柱穿过P+埋层延伸至外延层一中。该结构不仅可以提高器件的栅氧可靠性，而且可以改善器件在比导通电阻和击穿时的栅氧电场强度之间的折中关系。

本发明授权一种宽禁带半导体沟槽MOSFET器件结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种宽禁带半导体沟槽MOSFET器件结构，其特征在于，至少包括衬底1、外延生长在衬底1上的外延层2、制作在外延层2中的栅电极4、制作在栅电极4之间的源极P+区3； 所述外延层2包括依次层叠制作在衬底1上的外延层一21和外延层二22，所述外延层一21和外延层二22之间制作有P+埋层5，所述栅电极4的正下方制作有P+掩蔽层6且所述P+掩蔽层6位于外延层二22中，所述P+埋层5中制作有N+电流通道7且所述N+电流通道7位于P+掩蔽层6的正下方，所述P+掩蔽层6通过P+接地柱8与所述P+埋层5电连接； 所述源极P+区3包括第一源极P+区31和第二源极P+区32，所述第一源极P+区31和第二源极P+区32均与P+埋层5电连接，所述第一源极P+区31不穿过P+埋层，第二源极P+区32和所述P+接地柱8穿过P+埋层5延伸至外延层一21中； 所述外延层2上依次制作有P阱区9、源极N+区10和源电极11，所述栅电极4贯穿源极N+区10、P阱区9和部分外延层二22，所述栅电极4之间制作有源极沟槽12，所述源极沟槽12内填充有源极多晶硅，所述源极P+区3位于源极沟槽12两侧，所述源极多晶硅、源极P+区3通过源极沟槽12顶部的源极欧姆接触区13与源电极11电连接； 所述栅电极4包括栅极沟槽以及填充在栅极沟槽中的栅极多晶硅，栅极沟槽周边布设有栅极介质层，栅极多晶硅与源电极之间沉积有层间介质层。

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