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龙图腾网获悉山西中来光能电池科技有限公司申请的专利一种基于物理沉积技术制备的双面钝化电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117334788B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311425330.0，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种基于物理沉积技术制备的双面钝化电池及其制备方法是由张耕;邹金圩;乔晓琴;郭飞;熊大明;林建伟设计研发完成，并于2023-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于物理沉积技术制备的双面钝化电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于物理沉积技术制备的双面钝化电池及其制备方法，该双面钝化电池结构包括硅衬底，正面由内到外依次制备有P++发射极、局域氧化硅隧穿层，局域掺硼p+poly层、氧化铝层、氮化硅层、金属电极，背面由内到外依次制备有全面氧化硅隧穿层，全面掺磷n+poly层、氮化硅层、金属电极。本发明制备的双面TOPcon电池，基于PVD技术，相较于已公开的其它制备技术，省略了大量的掩膜制备与清洗步骤，仅需在目前的制备流程中，增加一道工序，步骤简单，成本低；本发明实现背面全钝化与正面局域钝化接触结构，即满足了提高钝化能力，增加电池效率的作用，又有效避免了Poly层对于光的寄生吸收导致的光学损失。

本发明授权一种基于物理沉积技术制备的双面钝化电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于物理沉积技术制备双面钝化电池的方法，其特征在于，包括依次进行的如下步骤： 步骤1、对硅片进行制绒、清洗以及硼扩散工艺； 步骤2、利用激光在硅片上需要进行金属栅线印刷的位置进行激光掺杂制备P++发射极，并减薄加工位置的硼硅玻璃层； 步骤3、采用链式机台，并使用HF水溶液去除硅片背面的硼硅玻璃； 步骤4、在利用碱性溶液对硅片背面进行抛光后，先使用盐酸溶液清洗硅片表面，中和碱液以及利用氯离子络合金属离子，接着使用浓度较低的氢氟酸溶液去除硅片背面氧化层以及正面激光区域所残留的硼硅玻璃，保留正面激光区域外的硼硅玻璃，以作为掩膜以及抗机械摩擦保护层； 步骤5、使用PVD技术在硅片背面制备TOPCon结构，即先制备超薄隧穿氧化层，电离氩气形成氩离子，再利用磁场加速氩离子形成高能离子并轰击硅靶材，以在硅片表面沉积非晶硅薄膜，同时通入磷烷，在形成非晶硅沉积的过程中，掺杂磷元素； 硅片背面TOPCon结构制备结束后，基于PVD技术，通过局域开口的载框，在硅片正面制备TOPCon结构，即先制备出超薄隧穿氧化层，电离氩气形成氩离子，再利用磁场加速氩离子形成高能离子并轰击硅靶材，同时通入乙硼烷，在形成非晶硅沉积的过程中，掺杂硼元素； 步骤6、在退火炉中进行高温退火，以激活非晶硅掺杂层中的掺杂原子； 步骤7、退火结束后，利用高浓度氢氟酸溶液清洗硅片，以除去步骤4中保留的正面硼硅玻璃以及自然氧化层； 步骤8、利用原子层沉积设备在硅片正表面制备氧化铝钝化层； 步骤9、利用等离子体增强化学沉积系统在硅片的正、背面均制备氮化硅减反射膜，以减少光反射； 步骤10、利用丝网印刷设备在硅片正、背面涂敷金属浆料，经烧结炉高温加工，制备金属栅线，使金属材料与硅结合形成合金，将光生载流子导出，完成双面钝化电池的制备。

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