TCL华星光电技术有限公司李恩庆获国家专利权
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龙图腾网获悉TCL华星光电技术有限公司申请的专利蚀刻剂组合物、金属层的形成方法与显示面板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117468003B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211737560.6，技术领域涉及：C23F1/18；该发明授权蚀刻剂组合物、金属层的形成方法与显示面板是由李恩庆设计研发完成，并于2022-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本蚀刻剂组合物、金属层的形成方法与显示面板在说明书摘要公布了：本申请公开了一种蚀刻剂组合物、金属层的形成方法与显示面板，所述蚀刻剂组合物用于蚀刻包含铜系膜层与钼系屏蔽金属层的金属膜层，包括过氧化氢、蚀刻助剂、屏蔽金属层抑制剂以及水；所述屏蔽金属层抑制剂包括第一屏蔽金属层抑制剂与第二屏蔽金属层抑制剂，所述第一屏蔽金属层抑制剂选自嘌呤类化合物、嘧啶类化合物以及苷酸类化合物中的至少一种，所述第二屏蔽金属层抑制剂选自乙烯亚胺与聚乙烯亚胺中的至少一种，该蚀刻剂组合物具有优异的选择性蚀刻效果，在有效蚀刻铜系膜层的基础上不会对钼系屏蔽金属层进行蚀刻，基于此也更不会对屏蔽金属层下侧所存在的膜层诸如有源层造成腐蚀而将其损伤。
本发明授权蚀刻剂组合物、金属层的形成方法与显示面板在权利要求书中公布了：1.一种蚀刻剂组合物，其特征在于，所述蚀刻剂组合物用于蚀刻包含铜系膜层与钼系屏蔽金属层的金属膜层，包括：过氧化氢、蚀刻助剂、屏蔽金属层抑制剂以及水； 其中，所述屏蔽金属层抑制剂包括第一屏蔽金属层抑制剂与第二屏蔽金属层抑制剂，所述第一屏蔽金属层抑制剂选自嘌呤类化合物、嘧啶类化合物以及苷酸类化合物中的至少一种，所述第二屏蔽金属层抑制剂选自乙烯亚胺与聚乙烯亚胺中的至少一种； 所述蚀刻助剂包括螯合剂； 所述过氧化氢的质量百分含量为5%-12%，所述螯合剂的质量百分含量为0.5%-3%，且所述蚀刻剂组合物不含有氟化物。
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