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龙图腾网获悉华南师范大学申请的专利一种制备双层过渡金属硫族化合物异质结单晶薄膜的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117512556B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311381227.0，技术领域涉及：C23C16/30；该发明授权一种制备双层过渡金属硫族化合物异质结单晶薄膜的方法是由徐小志;陈俊汀设计研发完成，并于2023-10-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种制备双层过渡金属硫族化合物异质结单晶薄膜的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种制备双层过渡金属硫族化合物异质结单晶薄膜的方法，所述方法采用化学气相沉积法，先在一衬底上利用所述衬底表面的台阶诱导生长单层二硫化钼薄膜，然后在所述二硫化钼薄膜上，继续利用所述衬底表面的台阶诱导生长与所述二硫化钼取向一致的二硫化钨薄膜，得到双层过渡金属硫族化合物异质结单晶薄膜。该方法操作简便，制得的双层异质结单晶薄膜的电子迁移率等各项光电学性能优异，可以应用于制备高质量器件。

本发明授权一种制备双层过渡金属硫族化合物异质结单晶薄膜的方法在权利要求书中公布了：1.一种制备双层过渡金属硫族化合物异质结单晶薄膜的方法，其特征在于，采用化学气相沉积法，先在一衬底上利用所述衬底表面的台阶诱导生长单层二硫化钼薄膜，然后在所述二硫化钼薄膜上，继续利用所述衬底表面的台阶诱导生长与所述二硫化钼取向一致的二硫化钨薄膜，得到双层过渡金属硫族化合物异质结单晶薄膜； 所述制备双层过渡金属硫族化合物异质结单晶薄膜的方法，包括如下步骤： S1.在表面分布有原子台阶的蓝宝石衬底上制备单层二硫化钼薄膜； S2.将硫粉放置于CVD反应炉内的第一温区，将三氧化钨和氯化钠的混合物放置于所述CVD反应炉内的第二温区，将步骤S1制得的表面具有二硫化钼薄膜的蓝宝石衬底放置于所述CVD反应炉内的第三温区； S3.对所述CVD反应炉内抽真空后加热，加热的温度设置为： 从0min开始加热所述第三温区，在0min至第55min期间将所述第三温区加热至970℃，随后进行保温；从第20min开始加热所述第一温区和第二温区，在第20min至第30min期间将所述第一温区加热至120℃，随后进行保温；在第20min至第45min期间将所述第二温区加热至640℃，随后进行保温； 其中，当所述第三温区达到860℃时，往所述CVD反应炉内持续通入氩气作为载气，开始生长过程，在所述二硫化钼薄膜上生长二硫化钨薄膜； S4.生长完毕后，关闭所述CVD反应炉的加热电源，使所述蓝宝石衬底随炉自然冷却至室温，得到制备在所述蓝宝石衬底上的双层过渡金属硫族化合物异质结单晶薄膜。

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