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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第五十八研究所申请的专利一种快速瞬态响应LDO获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117539313B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311672282.5，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权一种快速瞬态响应LDO是由奚冬杰;徐晴昊设计研发完成，并于2023-12-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种快速瞬态响应LDO在说明书摘要公布了：本发明公开一种快速瞬态响应LDO，属于集成电路领域，二极管连接形式的MP7通过改变输出功率管MP8栅端电阻可实现对环路的负载追踪补偿，通过负载追踪补偿提升了LDO全负载范围下的稳定性，降低了LDO对输出电容COUT及其寄生电阻RESR取值的限制。NMOS管MN6和PMOS管MP6组成的共源级放大器可在输出端VOUT发生负载跳变化时提升对功率管栅端的充放电速度，提高环路增益，通过环路增益增强加快了LDO瞬态大信号响应速度，降低了LDO瞬态电压波动；通过以上优化可提升电路瞬态性能。

本发明授权一种快速瞬态响应LDO在权利要求书中公布了：1.一种快速瞬态响应LDO，其特征在于，包括第一电阻、第二电阻、第一电容、第二电容、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管、第九NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管、第九PMOS管和第十PMOS管；其中， 第一电阻的上端接外部基准电压VREF，下端接第二NMOS管的漏端； 第二电阻的上端接输出端口VOUT，下端接第二电容的上端； 第一电容的上端接第二NMOS管的栅端，下端接地GND；第二电容的上端接第二电阻的下端，下端接地GND； 第一NMOS管的漏端接第八NMOS管的源端，栅端接第一电阻的下端，源端接地GND；第二NMOS管的漏端接第一电阻的下端，栅端接第一电阻的下端，源端接地GND；第三NMOS管的漏端接第九PMOS管的漏端，栅端接第一电阻的下端，源端接地GND；第四NMOS管的漏端接第四PMOS管的漏端，栅端接第一电阻的下端，源端接地GND；第五NMOS管的漏端接第五PMOS管的漏端，栅端接第七NMOS管的栅端，源端接地GND；第六NMOS管的漏端接第六PMOS管的漏端，栅端接第五PMOS管的漏端，源端接地GND；第七NMOS管漏端接第十PMOS管的漏端，栅端接第十PMOS管的漏端，源端接地GND；第八NMOS管的漏端接第一PMOS管的漏端，栅端接第三PMOS管的漏端，源端接第一NMOS管的漏端；第九NMOS管的漏端接第二PMOS管的漏端，栅端接外部基准电压VREF，源端接第一NMOS管的漏端； 第一PMOS管的漏端接第八NMOS管的漏端，栅端接第八NMOS管的漏端，源端接电源电压VDD；第二PMOS管的漏端接第九NMOS管的漏端，栅端接第九NMOS管的漏端，源端接VDD；第三PMOS管的漏端接第九PMOS管的源端，栅端接第二PMOS管的栅端，源端接VDD；第四PMOS管的漏端接第四NMOS管的漏端，栅端接第四NMOS管的漏端，源端接VDD；第五PMOS管的漏端接第五NMOS管的漏端，栅端接第四PMOS管的栅端，源端接VDD；第六PMOS管的漏端接第六NMOS管的漏端，栅端接第五PMOS管的栅端，源端接VDD；第七PMOS管的漏端接第六PMOS管的漏端，栅端接第六PMOS管的栅端，源端接VDD；第八PMOS管的漏端接输出端口VOUT，栅端接第七PMOS管的栅端，源端接VDD；第九PMOS管的漏端接第三NMOS管的漏端，栅端接第三NMOS管的漏端，源端接第三PMOS管的漏端；第十PMOS管的漏端接第七NMOS管的漏端，栅端接第九PMOS管的栅端，源端接输出端口VOUT。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国电子科技集团公司第五十八研究所，其通讯地址为：214000 江苏省无锡市滨湖区惠河路5号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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