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龙图腾网获悉云南师范大学申请的专利一种变温硫硒化工艺制备的铜锌锡硫硒薄膜、方法与太阳电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117613143B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311620347.1，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种变温硫硒化工艺制备的铜锌锡硫硒薄膜、方法与太阳电池是由王书荣;赵永刚;靳晓宇;张莹;胡兴欢设计研发完成，并于2023-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种变温硫硒化工艺制备的铜锌锡硫硒薄膜、方法与太阳电池在说明书摘要公布了：本发明属于光电材料新能源技术领域，具体涉及一种变温硫硒化工艺制备的铜锌锡硫硒薄膜、方法与太阳电池。本发明通过采用变温硫硒化方式制备铜锌锡硫硒&X＝Q6Q6，6H，&＝766H吸收层薄膜，综合运用高温和低温的优点，优化了晶粒生长过程，制备了表面平整，孔洞较少，致密分布的吸收层薄膜，并采用该薄膜做为太阳电池的吸收层薄膜，最终制备出效率达到的铜锌锡硫硒薄膜太阳电池。

本发明授权一种变温硫硒化工艺制备的铜锌锡硫硒薄膜、方法与太阳电池在权利要求书中公布了：1.一种变温硫硒化工艺制备铜锌锡硫硒薄膜的方法，其特征在于，所述方法具体包括如下步骤： 1配制前驱体溶液并离心静置：根据所需配制的前驱体溶液元素比例，依次称量硫脲，氯化亚铜，二水乙酸锌，五水四氯化锡加入装有转子并清洗干净的透明玻璃瓶，然后加入体积比为1∶1的二甲基亚砜和乙二醇甲醚，随后置入恒温水浴锅中搅拌得到前驱体溶液；将所述前驱体溶液离心后静置，备用； 2重复旋涂-烘烤-冷却制备前驱体薄膜：将清洗干净的钼玻璃固定在旋涂仪的吸盘上，吸取经步骤1离心、静置后的前驱体溶液并滴加在所述钼玻璃的表面，待所述前驱体溶液全部覆盖后进行旋涂；待旋涂结束后取出样品经烘烤、冷却至室温，并重复旋涂-烘烤-冷却三个步骤共计10次得到前驱体薄膜； 3变温硫硒化制备吸收层薄膜：将步骤2得到的前驱体薄膜、硫化亚锡和硒丸放入单温区管式炉中进行变温硫硒化，待硫硒化结束后冷却至室温制得铜锌锡硫硒CZTSSe薄膜； 步骤3中，所述变温硫硒化包括软硫硒化阶段和高温硫硒化阶段，具体操作如下： 首先由室温经过9min升到280℃并保持10min进行软硫硒化，之后继续升温9min到达510℃开始高温硫硒化并计时，由510℃升温3.5min到570℃，570℃降温3.5min到510℃，510℃升温3.5min到570℃，570℃降温3.5min到510℃，由此完成整个变温硫硒化过程； 其中，由室温升到280℃进行软硫硒化的升温速率为28.3℃min，280℃升温到510℃进行高温变温硫硒化的升温速率为25.5℃min，510℃升温到570℃以及570℃降温到510℃的温度变化速率均为17.1℃min； 所述的前驱体薄膜数量、硫化亚锡质量与硒丸质量的比例关系为1片：1.25g∶125g。

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