北京石墨烯研究院;北京大学刘忠范获国家专利权
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龙图腾网获悉北京石墨烯研究院;北京大学申请的专利双层石墨烯薄膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117623291B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311723576.6，技术领域涉及：C01B32/186；该发明授权双层石墨烯薄膜及其制备方法是由刘忠范;孙禄钊;宋晓峰;边鹏博;陈步航设计研发完成，并于2023-12-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本双层石墨烯薄膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种双层石墨烯薄膜的制备方法，包括：S1，向气相沉积系统通入氢气和甲烷进行气相沉积反应，在基底上生长具有双层石墨烯畴区的石墨烯核；S2，向所述气相沉积系统中通入氧气；以及S3，提高甲烷分压，继续进行生长。本发明的化学气相沉积法直接生长双层石墨烯薄膜的方法，首先形成具有双层石墨烯小核；接着通入氧气刻蚀除去不稳定的石墨烯核，最后增加甲烷的分压以促进双层石墨烯的生长，从而制备出第二层石墨烯层面积与第一层面积相差不大的双层石墨烯薄膜。并且本发明的方法可以形成具有任意扭转角度的双层石墨烯薄膜。
本发明授权双层石墨烯薄膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种双层石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于，包括： S1，向气相沉积系统通入氢气和甲烷进行气相沉积反应，在基底上生长具有双层石墨烯畴区的石墨烯核； S2，向所述气相沉积系统中通入氧气；以及 S3，提高甲烷分压，继续进行生长，该步骤仍然通入氧气； 所述S1步骤中甲烷分压为0.15-0.8Pa，生长时间为3-20min； 所述S2步骤中所述甲烷的分压为0.15-0.8Pa； 所述S3步骤中所述甲烷分压为6-14Pa； 所述S2和S3步骤中所述氧气的分压在大于0小于等于5Pa之间。
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