福建省晋华集成电路有限公司陈炫彤获国家专利权
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龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利半导体器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118315426B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410423823.9，技术领域涉及：H10D30/63；该发明授权半导体器件及其制作方法是由陈炫彤;蔡建成;周阳设计研发完成，并于2024-04-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了半导体器件及其制作方法，包括源极、漏极、闸极、通道结构、闸极电介质层、阻障层以及顶电介质层。漏极、闸极与源极堆叠设置。通道结构设置在漏极与源极之间并连接漏极与源极。闸极电介质层设置在通道结构与闸极之间。阻障层设置在闸极与闸极电介质层之间。顶电介质层设置在漏极与源极之间，并包括朝向通道结构突出并夹设在闸极与漏极之间的突出部。突出部至少覆盖阻障层的部分上表面。如此，借助突出部而使阻障层自对准地设置隔绝闸极电介质层直接接触金属材料而产生高阻值的产物，改善半导体器件的操作表现。
本发明授权半导体器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 源极； 漏极，所述漏极与所述源极堆叠设置； 闸极，设置在所述漏极与所述源极之间； 通道结构，设置在所述漏极与所述源极之间并连接所述漏极与所述源极； 闸极电介质层，设置在所述通道结构与所述闸极之间； 阻障层，设置在所述闸极与所述闸极电介质层之间；以及 顶电介质层，设置在所述漏极与所述源极之间，其中，所述顶电介质层包括朝向所述通道结构突出并夹设在所述闸极与所述漏极之间的突出部，所述突出部至少覆盖所述阻障层的部分上表面。
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