买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉华南师范大学申请的专利一种部分P-GaN帽层和反向梯度势垒增强型射频HEMT及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118367020B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410292874.2，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种部分P-GaN帽层和反向梯度势垒增强型射频HEMT及其制备方法是由孙慧卿;吕瑞鹏;刘圳;张元昊;杨隆飞;李渊;郭志友设计研发完成，并于2024-03-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种部分P-GaN帽层和反向梯度势垒增强型射频HEMT及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种部分P‑GaN帽层和反向梯度势垒增强型射频HEMT及其制备方法，该结构中，通过AlGaN反向组分渐变势垒层的插入，以及栅下方采用P‑GaN帽层、未掺杂GaN帽层和空气腔结构的设置，在提高了势垒层中的一部分导带，降低了栅极区域附近的电子浓度，减小了栅极泄露电流，缓解电流崩溃的基础上，扩宽了栅压摆动范围，提高了跨导的线性度，减小了栅极接触电阻，降低了栅极下方耗尽区的范围，改善了器件的直流和射频特性，同时最大程度降低了栅帽下方的寄生电容，提高了器件的射频特性。

本发明授权一种部分P-GaN帽层和反向梯度势垒增强型射频HEMT及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种部分P-GaN帽层和反向梯度势垒增强型射频HEMT器件，其特征在于，其包括： 衬底； 位于所述衬底上的AlGaN缓冲层； 位于所述AlGaN缓冲层上的GaN通道层； 位于所述GaN通道层上的AlGaN势垒层，所述AlGaN势垒层沿生长方向上依次包括AlGaN下势垒层、AlGaN反向组分渐变势垒层和AlGaN上势垒层，所述AlGaN上势垒层中，Al组分为21％，所述AlGaN下势垒层中，Al组分为26％，所述AlGaN反向组分渐变势垒层的组分沿生长方向由26％到21％线性变化； 位于所述AlGaN势垒层上的帽层结构，该帽层结构由厚度相等的P-GaN帽层和第一未掺杂GaN帽层和第二未掺杂GaN帽层组成，第一未掺杂GaN帽层和第二未掺杂GaN帽层分别位于P-GaN帽层的两侧，第一未掺杂GaN帽层的宽度等于第二未掺杂GaN帽层的宽度，P-GaN帽层的宽度大于第一、第二未掺杂GaN帽层的宽度； 位于所述帽层结构上的肖特基接触栅电极，所述肖特基接触栅电极由栅脚接触电极和栅帽接触电极组成，栅脚接触电极与所述帽层结构接触； 所述栅帽接触电极与所述AlGaN上势垒层之间设置有空气介质，所述空气介质位于所述帽层结构和所述栅脚接触电极的两侧； 位于所述AlGaN势垒层上的欧姆接触源电极和漏电极； 所述肖特基接触栅电极与源电极、漏电极之间填充有钝化层，位于所述AlGaN上势垒层表面、空气介质的两侧。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华南师范大学，其通讯地址为：510635 广东省广州市天河区中山大道西55号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。