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龙图腾网获悉安徽大学申请的专利一种多层二维复合电极、制备方法、2.5D叠层封装方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118402795B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410488127.6，技术领域涉及：A61B5/263；该发明授权一种多层二维复合电极、制备方法、2.5D叠层封装方法与应用是由曾玮;吴政印;邓黎婷;桂安;王思亮;陈志亮;桂鹏彬;叶飞鸿;曾野;黄志祥设计研发完成，并于2024-04-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种多层二维复合电极、制备方法、2.5D叠层封装方法与应用在说明书摘要公布了：本发明公开一种多层二维复合电极、其制备方法、封装方法与应用。多层二维复合电极是SiAg硼烯铋烯MXeneTiO2P2O3黑磷结构。多层二维复合电极的制备方法包括以下步骤：1制作SiAg基底；2制作SiAg硼烯铋烯电极；3制作SiAg硼烯铋烯MXeneTiO2电极；4制作SiAg硼烯铋烯MXeneTiO2P2O3黑磷电极；该多层二维复合电极在使用200～300mW的400～430nm蓝紫激光提供光源的情况下，在0.3V相对饱和甘汞电极偏压下平均瞬态电流密度为129μA·cm‑2。本发明的复合检测芯片的2.5D叠层封装方法减小了芯片整体体积的同时降低了芯片的功耗。芯片由传感器模块、光器件模块、微处理器模块、电源管理模块、无线收发模块构成，同时为能够进行肌电感知的可穿戴智能监测提供了新的方式，并有望在智能机器人中应用。

本发明授权一种多层二维复合电极、制备方法、2.5D叠层封装方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种多层二维复合电极，其特征在于，其为SiAg硼烯铋烯MXeneTiO2P2O3黑磷形成的多层二维结构，其中，Si表面存在三维孔洞缺陷，每平方微米的孔洞缺陷1～5个，每个孔洞缺陷面积为100～1000nm2、深度为50～110nm；Si上表面为Ag层，Ag层表面存在三维孔洞缺陷，每平方微米的孔洞缺陷1～5个，每个孔洞缺陷面积为100～1000nm2，深度50～120nm；Ag层上为硼烯层，且硼烯填补Ag层的三维孔洞缺陷；硼烯层上为铋烯层，铋烯继续填补Ag层的三维孔洞缺陷；MXene层均匀覆盖铋烯层上表面，且其表面存在三维孔洞缺陷，每平方微米的孔洞缺陷约1～5个，每个孔洞缺陷面积为100～200nm2，深度80～120nm；二维MXene层上存在TiO2，且TiO2通过Ti-O键连接MXene；MXene层上为黑磷层，黑磷填充MXene层表面的三维孔洞缺陷；并且，在MXene层和黑磷层的界面处存在P2O3，黑磷层通过P-O-Ti键连接TiO2、通过P-O键连接P2O3。

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