隆基绿能科技股份有限公司杨孝明获国家专利权
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龙图腾网获悉隆基绿能科技股份有限公司申请的专利一种太阳能电池及其制备方法和光伏组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118448490B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410524757.4，技术领域涉及：H10F77/14；该发明授权一种太阳能电池及其制备方法和光伏组件是由杨孝明;颜翼飞;张欢;张泽林;刘仡锟;姚巍然;陈石;代囟;徐新星;童洪波设计研发完成，并于2024-04-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种太阳能电池及其制备方法和光伏组件在说明书摘要公布了：本发明提供了一种太阳能电池及其制备方法和光伏组件，涉及光伏技术领域。太阳能电池包括：硅衬底；界面钝化层，位于硅衬底上；掺杂半导体层，位于界面钝化层背离硅衬底的一侧；掺杂半导体层包括：沿远离遂穿氧化层的方向上依次层叠的第一子层和第二子层；第二子层的晶粒尺寸小于第一子层的晶粒尺寸，且第一子层的厚度大于第二子层的厚度。该太阳能电池不仅复合较少且表面钝化性能较好，可以有效提高少子寿命，同时生产效率高。
本发明授权一种太阳能电池及其制备方法和光伏组件在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池，其特征在于，包括： 硅衬底； 界面钝化层，位于硅衬底上； 掺杂半导体层，位于界面钝化层背离硅衬底的一侧；其中，掺杂半导体层包括：沿远离所述界面钝化层的方向上依次层叠的第一子层和第二子层； 第二子层的晶粒尺寸小于第一子层的晶粒尺寸，且第一子层的厚度大于第二子层的厚度； 掺杂半导体层还包括：第三子层，位于第一子层远离第二子层的一侧； 第三子层的晶粒尺寸小于第一子层的晶粒尺寸，且第一子层的厚度大于第三子层的厚度； 所述第二子层是所述掺杂半导体层最背离所述硅衬底的子层。
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