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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118574408B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310173189.3，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制备方法是由李晓杰设计研发完成，并于2023-02-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开实施例涉及一种半导体结构及其制备方法。该制备方法包括提供衬底；于衬底上形成垂直堆叠结构；垂直堆叠结构包括晶体管区和分别位于晶体管区第一方向上相对两侧且与晶体管区间隔设置的位线区和电容区；垂直堆叠结构包括交替堆叠的图形化牺牲层及图形化有源层；形成晶体管区与位线区及与电容区之间的第一沟槽，第一沟槽暴露晶体管区的垂直堆叠结构垂直于第一方向的侧壁；沿第一沟槽去除晶体管区的至少部分图形化牺牲层；形成字线结构，字线结构沿竖直方向延伸，且与晶体管区的图形化有源层接触。本公开提供的半导体结构及其制备方法能够得到良好的刻蚀轮廓，进而有效提升半导体结构的生产良率以及产品可靠性。

本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于， 包括： 提供衬底； 于所述衬底上形成垂直堆叠结构；所述垂直堆叠结构包括晶体管区，分别位于所述晶体管区第一方向上相对两侧且与所述晶体管区间隔设置的位线区和电容区，位于所述晶体管区和所述位线区之间的第一连接区，以及位于所述晶体管区和所述电容区之间的第二连接区；所述垂直堆叠结构包括交替堆叠的图形化牺牲层及图形化有源层； 形成所述晶体管区与所述位线区及与所述电容区之间的第一沟槽，所述第一沟槽暴露所述晶体管区的所述垂直堆叠结构垂直于所述第一方向的侧壁； 沿所述第一沟槽去除所述晶体管区的至少部分图形化牺牲层； 形成字线结构，所述字线结构沿竖直方向延伸，且与所述晶体管区的所述图形化有源层接触； 将所述第一连接区的所述图形化有源层转变为位线接触结构； 去除所述位线区的所述图形化有源层，且形成位线结构；所述位线结构经由所述位线接触结构与所述晶体管区中的图形化有源层相连接； 将所述第二连接区的所述图形化有源层转变为电容接触结构； 去除所述电容区的所述图形化有源层，且形成电容结构；所述电容结构经由所述电容接触结构与所述晶体管区的所述图形化有源层相连接。

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