电子科技大学陈飞良获国家专利权
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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种波导集成的双侧平面纳米空气沟道太赫兹光混频器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118589276B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410753654.5，技术领域涉及：H01S1/02；该发明授权一种波导集成的双侧平面纳米空气沟道太赫兹光混频器是由陈飞良;罗涛;李沫;张健;孙立新;李晓旭;李向阳;杨帆;姜昊;刘洋设计研发完成，并于2024-06-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种波导集成的双侧平面纳米空气沟道太赫兹光混频器在说明书摘要公布了：本发明提供了一种波导集成的双侧平面纳米空气沟道太赫兹光混频器，所述光混频器利用纳米空气沟道中电子的弹道输运特性获得高速响应和超大带宽，可用于产生毫米波太赫兹信号，光混频器包括衬底、光阴极、欧姆接触电极、波导、左阳极和右阳极，波导耦合方式为对接耦合或底层倏逝波耦合，该器件采用波导入射式结构，相较于传统面入射结构，量子效率和响应速度不再相互制约，在小型化和集成化方面有着独特优势，此外，该器件由双侧纳米空气沟道构成，可实现在不增加器件面积的情况下提升场光电子的有效发射边长，在保持高带宽的同时，提高饱和光电流。
本发明授权一种波导集成的双侧平面纳米空气沟道太赫兹光混频器在权利要求书中公布了：1.一种波导集成的双侧平面纳米空气沟道太赫兹光混频器，其特征在于，所述光混频器包括衬底、光阴极、欧姆接触电极、波导、左阳极和右阳极； 该混频器波导耦合方式为对接耦合或底层倏逝波耦合； 当波导耦合方式为对接耦合时，所述衬底上不同位置有光阴极、波导、左阳极、右阳极，所述光阴极除与对接波导层耦合外，另一侧与欧姆接触电极对接，所述左阳极、右阳极分布在欧姆接触电极的两侧，所述光阴极边缘与两侧阳极之间均有纳米空气沟道； 当波导耦合方式为底层倏逝波耦合时，所述衬底上有不同高度的台面，高度较低的为第一台面，较高的为第二台面，第一台面有波导、左阳极、右阳极，第二台面有光阴极、欧姆接触电极，所述光阴极在波导上方，所述左阳极、右阳极在光阴极端面侧连接起来，光阴极与左阳极、右阳极之间以及光阴极与两个阳极连接处之间都有纳米空气沟道。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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