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龙图腾网获悉深圳市汇芯通信技术有限公司申请的专利一种金属光栅制作方法及金属光栅获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118604933B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410784310.0，技术领域涉及：G02B5/18；该发明授权一种金属光栅制作方法及金属光栅是由罗安林;樊永辉;许明伟;樊晓兵设计研发完成，并于2024-06-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种金属光栅制作方法及金属光栅在说明书摘要公布了：本发明提供了一种金属光栅制作方法及金属光栅。该方法，包括：在衬底上依次形成金属层、旋涂碳层、第一介质层、SiARC层以及光刻胶层；利用DUV光刻机进行曝光后进行显影，使光刻胶层包含有预设线宽的光刻胶，对SiARC层和第一介质层进行刻蚀，使SiARC层包含有预设线宽的SiARC，并使第一介质层包含有预设线宽的第一介质；刻蚀掉SiARC，使旋涂碳层包含有预设线宽的旋涂碳，在第一介质和旋涂碳的表面生长预设厚度的第二介质，刻蚀掉第一介质并刻蚀掉第二介质距离金属层大于旋涂碳层的厚度的部分；刻蚀掉旋涂碳，刻蚀金属层，使金属层包含有预设线宽的金属，去除第二介质，得到预设周期的金属光栅。本发明的方法，可以提高周期小于100nm的光栅的制作效率，减少制作成本。

本发明授权一种金属光栅制作方法及金属光栅在权利要求书中公布了：1.一种金属光栅制作方法，其特征在于，包括： 在衬底上依次形成金属层、旋涂碳层、第一介质层、SiARC层以及光刻胶层，所述在衬底上依次形成金属层、旋涂碳层、第一介质层、SiARC层以及光刻胶层，包括， 在衬底上沉积金属，形成厚度为10nm-100nm的金属层，利用涂胶显影机在所述金属层远离所述衬底的一面形成厚度为60nm-200nm的旋涂碳层；利用LPCVD或者PECVD在所述旋涂碳层远离所述金属层的一面沉积所述第一介质，形成厚度为20nm-200nm的第一介质层；利用涂胶显影机在所述第一介质层远离所述旋涂碳层一面形成厚度为20nm-40nm的SiARC层，并在所述SiARC层远离所述第一介质层的一面形成厚度为80nm-150nm的光刻胶层； 利用DUV光刻机进行曝光后进行显影，使所述光刻胶层包含有第一预设线宽的光刻胶，对所述SiARC层和第一介质层进行刻蚀，使所述SiARC层包含有所述第一预设线宽的SiARC，并使所述第一介质层包含有所述第一预设线宽的第一介质； 利用离子体机台，在O等离子体下刻蚀掉所述SiARC，并使所述旋涂碳层包含有40nm-100nm线宽的旋涂碳，通过原子层沉积设备，在所述第一介质和所述旋涂碳的表面生长厚度为5nm-40nm的第二介质，刻蚀掉所述第一介质并刻蚀掉所述第二介质距离所述金属层大于所述旋涂碳层的厚度的部分； 刻蚀掉所述旋涂碳，刻蚀所述金属层，使所述金属层包含有第二预设线宽的金属，去除所述第二介质，得到预设周期的金属光栅。

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