福建省晋华集成电路有限公司陈笋弘获国家专利权
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龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118610191B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410740777.5，技术领域涉及：H01L23/528；该发明授权半导体器件及其制备方法是由陈笋弘;黄健宾;林毓纯;谢朝景;刘安琪;丁佳耿;翁巧航;朱阿元设计研发完成，并于2024-06-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体器件，衬底上具有第一介质层，第一介质层内具有多个相互分隔地的第一导电图案及阻隔层，阻隔层位于第一导电图案上，且阻隔层的至少部分顶面露出第一介质层；金属氧化物层位于第一介质层上及阻隔层上，第二介质层位于金属氧化物层上，多个导电柱相互分隔地设置于第二介质层内，并穿过金属氧化物层与阻隔层接触，以通过阻隔层与第一导电图案电性连接。阻隔层可以阻隔金属氧化物层与第一导电图案，形成金属氧化物层之后，金属氧化物层不会与第一导电图案接触，避免生成赘生物，导电柱可以与第一导电图案可以实现较好的电性连接，从而提高了存储器的性能和稳定性。相应的，本发明还提供了半导体器件的制备方法。
本发明授权半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 衬底； 第一介质层，位于所述衬底上； 多个第一导电图案，相互分隔地设置于所述第一介质层内； 阻隔层，位于所述第一介质层内，且位于所述第一导电图案上，所述阻隔层的至少部分顶面露出所述第一介质层； 金属氧化物层，位于所述第一介质层上及所述阻隔层上，所述第一导电图案与所述金属氧化物层被所述阻隔层隔开； 第二介质层，位于所述金属氧化物上；以及， 多个导电柱，相互分隔地设置于所述第二介质层内，并穿过所述金属氧化物层与所述阻隔层接触，以通过所述阻隔层与所述第一导电图案电性连接。
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