买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉绵阳炘皓新能源科技有限公司申请的专利一种无爆膜双势垒量子陷TOPCon太阳能电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118610278B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410745460.0，技术领域涉及：H10F77/30；该发明授权一种无爆膜双势垒量子陷TOPCon太阳能电池及其制备方法是由吴秋宏;刘大伟;刘思瑞;周珊合设计研发完成，并于2024-06-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种无爆膜双势垒量子陷TOPCon太阳能电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种无爆膜双势垒量子陷TOPCon太阳能电池及其制备方法，涉及太阳能电池制造技术领域，该太阳能电池的结构从上至下依次为前表面SiNx减反射层、AlOx钝化层、硼发射极、硅基体、第一层隧穿氧化层、第一层Poly‑Si层、第二层隧穿氧化层、第二层Poly‑Si层，背表面SiNx减反射层；所述太阳能电池的上方还连接有选择性硼发射极，下方还连接有金属电极。这种双势垒量子陷钝化接触结构不仅可以减少爆膜现象的产生，还可以有效改善背面钝化效果，提高短路电流，提升电池效率。

本发明授权一种无爆膜双势垒量子陷TOPCon太阳能电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种无爆膜双势垒量子陷TOPCon太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤a：在碱制绒的N型Si衬底上进行硼扩散，然后对硅片正面进行局部重掺，紧接着在后氧化工序中对硅片的损伤进行氧化修复，同时进行PN结深推； 步骤b：去掉硅片背面和边缘的硼硅玻璃，再对硅片背面进行抛光； 步骤c：在硅片上制备一层隧穿氧化层，紧接着沉积原位掺杂a-Si：H层，再通过高温加热工艺，提前释放a-Si内部多余的氢，然后再依次沉积一层隧穿氧化层和原位掺杂a-Si：H层，通过高温退火工艺，将a-Si高温晶化为Poly-Si，并激活磷原子，构成双势垒量子陷钝化结构；其中，高温加热工艺的工艺温度为1000℃； 步骤d：退火后的硅片进行链式去磷硅玻璃，然后进行RCA清洗，刻蚀掉正面的Poly-Si，再分别进行正面SiNxAlOx沉积和背面SiNx沉积； 步骤e：对硅片进行丝网印刷、烧结和光注入后，即可制得无爆膜双势垒量子陷TOPCon太阳能电池； 其中，步骤c中沉积的两层a-Si：H层的总厚度为120nm；具体为第一层a-Si非晶硅的厚度为30nm，第二层a-Si非晶硅的厚度为90nm；或第一层a-Si非晶硅的厚度为40nm，第二层a-Si非晶硅的厚度为80nm；或第一层a-Si非晶硅的厚度为60nm，第二层a-Si非晶硅的厚度为60nm； 所述太阳能电池的结构从上至下依次为前表面SiNx减反射层、AlOx钝化层、硼发射极、硅基体、第一层隧穿氧化层、第一层Poly-Si层、第二层隧穿氧化层、第二层Poly-Si层，背表面SiNx减反射层；所述太阳能电池的上方还连接有选择性硼发射极，下方还连接有金属电极。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人绵阳炘皓新能源科技有限公司，其通讯地址为：621000 四川省绵阳市安州区创业路9号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。