买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉西安电子科技大学广州研究院;西安电子科技大学申请的专利一种自对准T型栅的GaN高频器件及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118629868B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310220045.9，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种自对准T型栅的GaN高频器件及制备方法是由周鑫;刘志宏;高广杰;唐从威;危虎;周瑾;冯欣;侯松岩;张进成;郝跃设计研发完成，并于2023-03-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种自对准T型栅的GaN高频器件及制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种自对准T型栅的GaN高频器件及制备方法，包括：获取外延片；在势垒层上生长第一介质层；刻蚀栅极区域的所述第一介质层至暴露所述势垒层的上表面，以形成栅极窗口；在暴露所述沟道层的所述栅极窗口内和所述势垒层上生长第二介质层；刻蚀部分区域的所述第二介质层和该第二介质层正下方的第一介质层，暴露势垒层，以形成两个有源区区域；在有源区区域内进行离子注入，以形成离子注入区域，之后进行退火处理，形成欧姆接触；在势垒层、离子注入区域和T型的第二介质层上生长第一介质层；去除T型的第二介质层，以在栅极窗口和第一介质层上制备T型的栅电极；去除有源区区域处的第一介质层，之后在离子注入区域上生长源电极和漏电极。本发明提高金了属线与半导体之间的对准精度，改善了器件制造精度，性能更加优越。

本发明授权一种自对准T型栅的GaN高频器件及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种自对准T型栅的GaN高频器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： 步骤1、获取外延片，所述外延片从下至上依次包括层叠的衬底层、复合缓冲层、沟道层和势垒层； 步骤2、采用台面刻蚀方法将端部区域的部分所述沟道层和所述势垒层刻蚀去除，以实现台面隔离； 步骤3、采用LPCVD技术在所述势垒层表面淀积生长第一介质层；所述第一介质层包括氮化硅介质层； 步骤4、刻蚀栅极区域的所述第一介质层至暴露所述势垒层的上表面，以形成栅极窗口； 步骤5、使用PECVD技术在暴露所述势垒层的所述栅极窗口内、所述第一介质层上和所述势垒层上生长第二介质层，所述第二介质层的耐腐蚀能力小于所述第一介质层的耐腐蚀能力；所述第二介质层包括二氧化硅介质层； 步骤6、刻蚀部分区域的所述第二介质层和该第二介质层正下方的第一介质层，暴露势垒层，以形成两个有源区区域，保留一T型的第二介质层和该T型的第二介质层下方的第一介质层； 步骤7、在所述有源区区域内进行离子注入，以形成离子注入区域，之后进行退火处理，形成欧姆接触； 步骤8、在所述势垒层、所述离子注入区域和所述T型的第二介质层上生长第一介质层； 步骤9、去除所述T型的第二介质层，以在所述栅极窗口和所述第一介质层上制备T型的栅电极； 步骤10、去除有源区区域处的第一介质层，之后在离子注入区域上生长源电极和漏电极。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西安电子科技大学广州研究院;西安电子科技大学，其通讯地址为：510000 广东省广州市黄埔区中新知识城海丝中心B5、B6、B7栋；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。