长鑫存储技术有限公司刘翔获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118632512B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310215506.3，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制备方法是由刘翔;邓杰芳设计研发完成，并于2023-03-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请实施例涉及一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构的制备方法包括：提供临时衬底，临时衬底具有阵列区域；于临时衬底的阵列区域内形成沿第一方向排列呈行的多个第一半导体柱；第一方向上相邻的第一半导体柱之间具有第一间隔；形成多条沿第一方向延伸且间隔排布的字线；字线形成于对应第一半导体柱的侧壁上；形成多条沿第二方向延伸且间隔排布的位线；位线形成于对应第一半导体柱的顶面；第一方向与第二方向相交；将临时衬底键合至承载衬底上；研磨临时衬底的背侧直至暴露出第一半导体柱。该半导体结构的制备方法可以用于制备集成密度更高的存储器件。
本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于， 包括： 提供临时衬底，所述临时衬底具有阵列区域； 于所述临时衬底的阵列区域内形成沿第一方向排列呈行的多个第一半导体柱；所述第一方向上相邻的所述第一半导体柱之间具有第一间隔； 形成多条沿所述第一方向延伸且间隔排布的字线； 所述字线形成于对应所述第一半导体柱的侧壁上； 形成多条沿第二方向延伸且间隔排布的位线；所述位线形成于对应所述第一半导体柱的顶面；所述第一方向与所述第二方向相交； 将所述临时衬底键合至承载衬底上； 研磨所述临时衬底的背侧直至暴露出所述第一半导体柱； 多个所述第一半导体柱沿所述第二方向排列呈列； 所述将所述临时衬底键合至承载衬底上之后，所述半导体结构的制备方法还包括： 于任一行所述第一半导体柱中形成连通且沿所述第一方向延伸的分隔槽；其中，一个所述第一半导体柱被所述分隔槽分隔为两个子半导体柱，一条所述字线被所述分隔槽分隔为两条子字线。
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