长鑫存储技术有限公司郭帅获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构的制作方法及制作装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118785715B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310333011.0，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权半导体结构的制作方法及制作装置是由郭帅设计研发完成，并于2023-03-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的制作方法及制作装置在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体结构的制作方法及制作装置，涉及半导体技术领域，半导体结构的制作方法包括：提供衬底，衬底上设置叠层结构；形成至少一个开口，开口贯穿叠层结构并延伸到衬底中，开口暴露出部分衬底；在还原性气体环境中对衬底进行热处理，以去除开口中的残留物，在热处理的过程中，从开口中抽出残留物和还原性气体反应生成的产物。本公开通过在热处理过程中移除反应产物，促进残留物和还原性气体反应，提高残留物和还原性气体的反应速率，以将开口中的残留物全部去除，避免开口中残留的残留物进入后续制程，对半导体结构产生不良影响，提升了半导体结构的读取信号的能力，提升了半导体结构的灵敏性和响应速度。
本发明授权半导体结构的制作方法及制作装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，所述半导体结构的制作方法包括： 提供衬底，所述衬底上设置叠层结构； 形成至少一个开口，所述开口贯穿所述叠层结构并延伸到所述衬底中，所述开口暴露出部分所述衬底； 在还原性气体环境中对所述衬底进行热处理，以去除所述开口中的残留物，在热处理的过程中，从所述开口中抽出所述残留物和还原性气体反应生成的产物； 其中，在还原性气体环境中对所述衬底进行热处理，包括： 向所述开口中通入氢气，在800℃-1000℃的温度条件下对所述衬底进行热处理，所述残留物和所述氢气发生反应生成气态产物； 控制热处理过程的压力在第一压力和第二压力之间变化，所述第一压力小于所述第二压力； 在所述第一压力时，将所述气态产物从所述开口中抽出。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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