四川大学张先龙获国家专利权
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龙图腾网获悉四川大学申请的专利一种高频低介电损耗的可逆粘接膜材料及其制备方法和应用获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN118791986B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411099920.3,技术领域涉及:C09J7/30;该发明授权一种高频低介电损耗的可逆粘接膜材料及其制备方法和应用是由张先龙;汪家鼎;王瑞昆;王雷;郭少云设计研发完成,并于2024-08-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高频低介电损耗的可逆粘接膜材料及其制备方法和应用在说明书摘要公布了:本发明涉及高分子材料领域,提供了一种高频低介电损耗的可逆粘接膜材料的制备方法,包括以下步骤:S1.将聚丁二烯基树脂与固化剂溶于良溶剂中,溶解后加入硅基填料,得到溶液A,然后将溶液A涂敷于聚四氟乙烯膜上下表面,烘干得基膜;S2.将端异氰酸酯基聚丁二烯分子溶于良溶剂中得到溶液B;将含邻苯二酚基团的活性小分子溶于有机溶剂中,得到溶液C;然后将溶液B和溶液C混合反应一段时间后烘干得到端邻苯二酚基聚丁二烯分子,将端邻苯二酚基聚丁二烯分子溶于良溶剂中,即得到改性层树脂溶液;S3.将步骤S2得到的改性层树脂溶液涂敷于S1得到的基膜的上下表面,烘干后即得到可逆粘接膜材料;其可以实现材料整体的低介电损耗和表面的可逆粘接性。
本发明授权一种高频低介电损耗的可逆粘接膜材料及其制备方法和应用在权利要求书中公布了:1.一种高频低介电损耗的可逆粘接膜材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤: S1.将聚丁二烯基树脂与固化剂溶于良溶剂中,溶解后加入硅基填料,得到溶液A,然后将溶液A均匀涂敷于聚四氟乙烯膜上下表面,烘干得到基膜; S2.将端异氰酸酯基聚丁二烯分子溶于良溶剂中,得到溶液B;将含邻苯二酚基团的活性小分子溶于有机溶剂中,得到溶液C;然后将溶液B和溶液C混合,在一定温度下搅拌反应一段时间后,终止反应并烘干得到端邻苯二酚基聚丁二烯分子,将端邻苯二酚基聚丁二烯分子溶于良溶剂中,即得到改性层树脂溶液; S3.将步骤S2得到的改性层树脂溶液涂敷于S1得到的基膜的上下表面,烘干后即得到所述高频低介电损耗的可逆粘接膜材料。
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