深圳市奥伦德元器件有限公司梁培健获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市奥伦德元器件有限公司申请的专利红外光电探测器的制备方法和红外光电探测器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118800833B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410866520.4，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权红外光电探测器的制备方法和红外光电探测器是由梁培健;杨为家;林士修;区耀华;陈景辉;罗森春;徐钊荣;林原盛设计研发完成，并于2024-07-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本红外光电探测器的制备方法和红外光电探测器在说明书摘要公布了：本申请提供了一种红外光电探测器的制备方法和红外光电探测器，包括：通过磁控溅射方法将金属靶材溅射至衬底层上，形成金属层，其中，金属靶材包括主体材料和掺杂元素，主体材料包括金属钒，掺杂元素包括铋元素、镁元素以及锂元素；对金属层进行氧化处理，以使金属钒氧化为氧化钒，形成热敏半导体层；对热敏半导体层进行退火处理，以激活镁元素和锂元素在氧化钒中的p型掺杂，并使热敏半导体层远离衬底层的一侧的表面上析出由铋元素组成的铋量子点；在衬底层远离热敏半导体层的一侧设置第一电极层，在热敏半导体层远离衬底层的一侧设置第二电极层，得到红外光电探测器。根据本申请实施例提供的方案，能够提升红外光电探测器的光电效率。
本发明授权红外光电探测器的制备方法和红外光电探测器在权利要求书中公布了：1.一种红外光电探测器的制备方法，其特征在于，包括： 通过磁控溅射方法将金属靶材溅射至衬底层上，形成金属层，其中，所述金属靶材包括主体材料和掺杂元素，所述主体材料包括金属钒，所述掺杂元素包括铋元素、镁元素以及锂元素； 对所述金属层进行氧化处理，以使所述金属钒氧化为氧化钒，形成热敏半导体层； 对所述热敏半导体层进行退火处理，以激活镁元素和锂元素在氧化钒中的p型掺杂，并使所述热敏半导体层远离所述衬底层的一侧的表面上析出由所述铋元素组成的铋量子点； 在所述衬底层远离所述热敏半导体层的一侧设置第一电极层，在所述热敏半导体层远离所述衬底层的一侧设置第二电极层，得到红外光电探测器。
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