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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利LDMOS的仿真模型及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118821695B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410825160.3，技术领域涉及：G06F30/367；该发明授权LDMOS的仿真模型及方法是由王正楠设计研发完成，并于2024-06-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本LDMOS的仿真模型及方法在说明书摘要公布了：本发明一种LDMOS的仿真模型及方法，包括：MOS管漏端接第一电阻第一端、第一二极管负极、第一电压控制电流源正极、第二二极管负极、第二电压控制电流源正极、第一可变电容第一端、体端和漏端底面理想二极管负极、第三电压控制电流源正极、体端和漏端侧面结电容第一端、体端和漏端侧面结理想二极管负极、第四电压控制电流源正极和第二可变电容第一端；第一二极管正极、第一电压控制电流源负极、第二二极管正极、第二电压控制电流源负极、第一可变电容第二端、体端和漏端底面理想二极管正极、第三电压控制电流源负极、第二二极管第二端、体端和漏端侧面结理想二极管正极、第四电压控制电流源负极和第二可变电容第二端均接MOS管体端。

本发明授权LDMOS的仿真模型及方法在权利要求书中公布了：1.一种LDMOS的仿真模型，其特征在于，包括： MOS管、第一电阻、第一二极管、第一电压控制电流源、第二二极管、第二电压控制电流源、第一可变电容、LDMOS体端和漏端的底面理想二极管、第三电压控制电流源、LDMOS体端和漏端的侧面结电容、第四电压控制电流源、第二可变电容以及LDMOS体端和漏端的侧面结理想二极管； 所述MOS管的漏端接第一电阻的第一端、第一二极管的负极端、第一电压控制电流源的正极、第二二极管的负极端、第二电压控制电流源的正极、第一可变电容的第一端、LDMOS体端和漏端的底面理想二极管的负极端、第三电压控制电流源的正极、LDMOS体端和漏端的侧面结电容的第一端、LDMOS体端和漏端的侧面结理想二极管的负极端、第四电压控制电流源的正极和第二可变电容的第一端；所述第一二极管的正极端、第一电压控制电流源的负极、第二二极管的正极端、第二电压控制电流源的负极、第一可变电容的第二端、LDMOS体端和漏端的底面理想二极管的正极端、第三电压控制电流源的负极、第二二极管的第二端、LDMOS体端和漏端的侧面结理想二极管的正极端、第四电压控制电流源的负极和第二可变电容的第二端均连接MOS管的体极端；所述第一电阻的第二端连接LDMOS的漏端；所述MOS管的源端连接MOS管的体极端并接LDMOS的源端；所述MOS管的栅端接LDMOS的栅端。

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