长鑫存储技术有限公司许占齐获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118824955B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310390764.5，技术领域涉及：H01L23/16；该发明授权半导体结构及其制备方法是由许占齐;廖君玮;徐丹设计研发完成，并于2023-04-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请实施例涉及一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构包括：基底；器件区，位于基底上；边缘区，位于基底上，且位于器件区的外围，环绕所述器件区设置；第一材料层，位于器件区；支撑结构，位于器件区，且位于第一材料层与边缘区之间，并与第一材料层之间绝缘设置。通过设置支撑结构增加了第一材料层和边缘区之间的间隔数量，后续在第一材料层和边缘区之间形成保护层后，第一材料层和边缘区之间不同位置上的保护层之间的厚度差变小，并且在通过涂布方式形成保护层时，支撑结构降低了具有流动性的涂布材料在第一材料层和边缘区之间的流动速率，得到表面粗糙度更小的半导体结构。
本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底； 器件区，位于所述基底上； 边缘区，位于所述基底上，且位于所述器件区的外围，环绕所述器件区设置； 第一材料层，位于所述器件区； 支撑结构，位于所述器件区，且位于所述第一材料层与所述边缘区之间，在与基底表面平行的方向上所述支撑结构与所述第一材料层的部分共面，所述支撑结构的数量为多个，所述支撑结构沿所述边缘区的延伸方向间隔排布；当所述支撑结构与所述第一材料层具有不同性能时，所述支撑结构与第一材料层相隔离或接触，当所述支撑结构与第一材料层具有相同的性能时，所述支撑结构和第一材料层相隔离。
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