长鑫存储技术有限公司单法宪获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利测试结构及其制作方法、测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118824992B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310396724.1，技术领域涉及：H01L23/544；该发明授权测试结构及其制作方法、测试方法是由单法宪设计研发完成，并于2023-04-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本测试结构及其制作方法、测试方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种测试结构及其制作方法、测试方法，用于解决测试结构的灵敏度较低，难以动态监测，且不易早期进行研发对比的技术问题。该测试结构设置在挡控片上，包括：衬底、设置在衬底上的第一介质层、位于第一介质层内且与衬底相间隔的第一导电件、覆盖第一导电件和第一介质层的第二介质层，以及贯穿第二介质层和第一介质层的导线结构，导线结构与第一导电件间隔设置且与衬底相接触，第一导电件、第一介质层和衬底形成测试电容，测试电容的电容电压特性曲线用于监测在第一介质层中的金属离子的含量信息。测试结构在挡控片上，利于早期研发对比工艺，利用电容电压特性曲线进行监测，灵敏度高，且可以进行动态监测。
本发明授权测试结构及其制作方法、测试方法在权利要求书中公布了：1.一种测试结构，其特征在于，所述测试结构设置在挡控片上，包括：衬底、设置在所述衬底上的第一介质层、位于所述第一介质层内且与所述衬底间隔设置的第一导电件、覆盖所述第一导电件和所述第一介质层的第二介质层，以及贯穿所述第二介质层和所述第一介质层的导线结构，所述导线结构与所述第一导电件间隔设置且与所述衬底相接触； 其中，所述第一导电件、所述第一介质层和所述衬底形成测试电容，所述导线结构和所述第一导电件中的一者用于与电源的正极连接，所述导线结构和所述第一导电件中的另一者用于与所述电源的负极连接，所述测试电容的电容电压特性曲线用于监测在所述第一介质层中的所述第一导电件的金属离子的含量信息。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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