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龙图腾网获悉中能兴盛(香河)机电设备有限公司申请的专利一种晶体炉的控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118910716B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410998893.7，技术领域涉及：C30B15/20；该发明授权一种晶体炉的控制方法是由李再兴;张利;李浩毅;王剑刚设计研发完成，并于2024-07-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种晶体炉的控制方法在说明书摘要公布了：本发明涉及单晶生长技术领域，本发明公开了一种晶体炉的控制方法；包括获取基础运行参数，判定晶体炉是否满足运维控制需求，采集晶体炉在采集时段中的综合运行参数，预测出下一采集时段晶体状态值，并判定是否发出控制提示，识别出控制目标数据，并制定出对应的优化控制指令，控制晶体炉执行优化控制指令；相对于现有技术，能够根据上一采集时段的晶体炉运行数据准确且提前预测出下一采集时段的晶体状态值，从而可以提前预测出单晶材料即将出现的低质量现象，制定并执行与控制目标数据相对应的控制指令，使得晶体炉能够在出现晶体低质量现象之前实施优化控制措施，有效的避免了实时采集数据实时分析预测方式导致的控制滞后性的问题。

本发明授权一种晶体炉的控制方法在权利要求书中公布了：1.一种晶体炉的控制方法，应用于控制终端，其特征在于，包括： S1：获取晶体炉的基础运行参数，并基于安全运维准则，判定晶体炉是否满足运维控制需求；若满足运维控制需求，执行S2；若不满足运维控制需求，重复执行S1； S2：从采集周期中划分出采集时段，并采集晶体炉在采集时段中的综合运行参数，综合运行参数包括局域温度递增值、炉压衰减率和单晶直径恒定度； 单晶直径恒定度的获取方法包括： A1：通过摄像机分别拍摄个采集时段的开始时刻的单晶提拉图像，获得个开始提拉图像； A2：逐一标记出开始提拉图像内的像素点，并记录每一个像素点的像素值； A3：将像素值大于预设像素阈值的像素点记为目标像素点，并将目标像素点所在的区域记为单晶区域； A4：沿单晶区域的两侧竖直边界画线，获得两条区域线，并在两条区域线上分别等距标记出个直径点； A5：逐一测量位于同一水平线上的两个直径点之间的距离，获得个开始区域直径，将个开始区域直径累加后求平均，获得个第一直径值； A6：通过摄像机分别拍摄个采集时段的结束时刻的单晶提拉图像，获得个结束提拉图像； A7：逐一标记出结束提拉图像内的像素点，并记录每一个像素点的像素值； A8：重复A3-A5的步骤，获得个第二直径值； A9：将个第二直径值依次与个第一直径值比较，获得个单晶直径恒定度； S3：将采集到的综合运行参数输入到提前训练好的预测出下一采集时段晶体状态值的状态预测模型中，预测出下一采集时段晶体状态值，并判定是否发出控制提示；若不发出控制提示，重复执行S3；若发出控制提示，执行S4-S5； 晶体状态值包括正常晶体状态和异常晶体状态； 是否发出控制提示的判定方法包括： 当下一采集时段晶体状态值为正常晶体状态，判定不发出控制提示； 当下一采集时段晶体状态值为异常晶体状态，判定发出控制提示； S4：从综合运行参数中识别出控制目标数据，并制定出对应的优化控制指令，优化控制指令包括降低局域温度递增值指令、降低炉压衰减率指令和升高单晶直径恒定度指令； S5：统计控制目标数据的数量，并结合执行优先级，控制晶体炉执行优化控制指令，直至不发出控制提示。

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