浙江创芯集成电路有限公司王江红获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江创芯集成电路有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118969621B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411050130.6，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体结构及其形成方法是由王江红;吴永玉;陶然;周鲁豪;陆佳倩;王青青设计研发完成，并于2024-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供衬底，衬底包括若干有源区，各有源区的衬底上具有至少两个栅极结构；在栅极结构两侧形成侧墙；在衬底及栅极结构上形成氧化硅层；在氧化硅层上形成氮化硅层；在氮化硅层上形成具有金属硅化物图形的光刻胶层；以光刻胶层为掩膜，采用具有刻蚀选择比的干法湿法结合的刻蚀工艺沿金属硅化物图形刻蚀氮化硅层和氧化硅层至露出衬底及栅极结构顶部。以上述具有刻蚀选择比的刻蚀工艺对所述氮化硅层和所述氧化硅层进行刻蚀，在对所述氮化硅层和所述氧化硅层进行刻蚀的同时，会对部分所述侧墙内的氮化硅进行刻蚀，实现相邻栅极结构之间的接触孔的宽度增加，降低导电插塞与衬底的接触电阻。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底包括若干有源区，所述若干有源区的衬底上具有至少两个栅极结构，相邻两个栅极结构之间为共源漏区； 在所述栅极结构两侧形成侧墙，所述侧墙的材料为氧化硅以及氮化硅； 在所述衬底及栅极结构上、和所述侧墙上形成氧化硅层； 在所述氧化硅层上形成氮化硅层； 在所述氮化硅层上形成具有金属硅化物图形的光刻胶层； 根据硅化物自对准阻挡层工艺，以所述光刻胶层为掩膜，采用具有刻蚀选择比的刻蚀工艺沿所述金属硅化物图形刻蚀所述氮化硅层和所述氧化硅层至露出所述衬底及所述栅极结构顶部，刻蚀所述氧化硅层和氮化硅层的同时，刻蚀部分所述侧墙内的氮化硅。
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