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龙图腾网获悉北京大学申请的专利一种SAR ADC分段电容阵列版图结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118971878B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411085962.1，技术领域涉及：H03M1/06；该发明授权一种SAR ADC分段电容阵列版图结构是由张雅聪;陈政翰;陈中建;鲁文高设计研发完成，并于2024-08-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种SAR ADC分段电容阵列版图结构在说明书摘要公布了：本申请提供一种SARADC分段电容阵列版图结构，属于模数转换器技术领域，包括：次段版图区，包括多个阵列排布的单位电容和桥接电容，且次段版图区的单位电容与桥接电容之间通过一个冗余电容分隔；单位电容包括：基底以及形成在基底上的多层第一金属线层和多层第二金属线层，多层第一金属线层构成单位电容的上极板，多层第二金属线层构成单位电容的下极板；单位电容还包括至少一层第三金属线层，第三金属线层作为引出线与上极板走线连接；在次段版图区中，每两个单位电容共用一条上极板走线，且上极板走线位于两个单位电容之间。通过本申请提供的一种SARADC分段电容阵列版图结构，可以减小次段电容阵列的上极板寄生电容。

本发明授权一种SAR ADC分段电容阵列版图结构在权利要求书中公布了：1.一种SARADC分段电容阵列版图结构，其特征在于，包括： 次段版图区，包括多个阵列排布的单位电容和桥接电容，且所述次段版图区的单位电容与所述桥接电容之间通过一个冗余电容分隔； 所述单位电容包括： 基底以及形成在所述基底上的多层第一金属线层和多层第二金属线层，所述多层第一金属线层构成所述单位电容的上极板，所述多层第二金属线层构成所述单位电容的下极板； 所述单位电容还包括至少一层第三金属线层，至少一层所述第三金属线层与多层所述第一金属线层连接，且所述第三金属线层作为引出线与上极板走线连接； 在所述次段版图区中，每两个所述单位电容共用一条所述上极板走线，且所述上极板走线位于两个所述单位电容之间； 所述第三金属线层在所述基底上的正投影与所述第一金属线层在所述基底上的正投影部分交叠； 所述上极板包括连接部分以及与所述连接部分连接的多个叉指部分； 所述第三金属线层在所述基底上的正投影与所述连接部分在所述基底上的正投影部分交叠； 在所述单位电容中，所述下极板将所述上极板包围在内。

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