长鑫存储技术有限公司郭琦获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118973253B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310515571.8，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其形成方法是由郭琦设计研发完成，并于2023-05-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种半导体结构及其形成方法，涉及半导体技术领域。该形成方法包括：提供衬底；在衬底内形成隔离槽；向隔离槽通入包括硅离子的种子气体，种子气体附着于隔离槽的内壁上，以形成种子层；向种子层通入含硅气体，含硅气体分解为固态物质和第一气体，固态物质包括硅离子，固态物质覆盖于种子层和隔离槽内壁共同构成的表面上，以形成目标薄膜。通过该方法形成的目标薄膜，可以增大衬底用于形成器件的有源区的表面积，且防止隔离槽的深度不足导致的器件制造缺陷，提高器件的良率。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底为半导体衬底； 在所述衬底内形成隔离槽； 向所述隔离槽通入种子气体，所述种子气体包括硅离子，所述种子气体附着于所述隔离槽的内壁上，以形成种子层； 向所述种子层通入含硅气体，所述含硅气体分解为固态物质和第一气体，所述固态物质包括硅离子，所述固态物质覆盖于所述种子层和所述隔离槽内壁共同构成的表面上，以形成目标薄膜，以增大所述衬底形成所述隔离槽的一面的表面积。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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