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龙图腾网获悉核工业西南物理研究院申请的专利一种基于电子回旋辐射计扰动分析的最优磁场差获取方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118981042B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411049559.3，技术领域涉及：G01T7/00；该发明授权一种基于电子回旋辐射计扰动分析的最优磁场差获取方法是由余鑫;石中兵;陈伟;蒋敏设计研发完成，并于2024-08-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于电子回旋辐射计扰动分析的最优磁场差获取方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于电子回旋辐射计扰动分析的最优磁场差获取方法，涉及电子回旋辐射计标定领域，该获取方法包括：首先计算第一电子温度分布和第二电子温度分布，再计算第二辐射信号强度，接着计算电子回旋辐射计的各个通道的标定系数，然后利用电子温度插值分布与预置标准温度插值分布做径向积分对比偏差，得到准确度分布；将准确度分布不小于阈值的分布磁场确定为第一磁场强度对应的目标环向磁场，并得到目标环向磁场的目标磁场强度；能够显著提升标定系数的准确性，并且能够量化给出标定的准确度，有效解决传统标定方法中的误差问题，还能够为电子回旋辐射计的精确测量提供有力保障，进而推动托卡马克等离子体诊断技术的进一步发展。

本发明授权一种基于电子回旋辐射计扰动分析的最优磁场差获取方法在权利要求书中公布了：1.一种基于电子回旋辐射计扰动分析的最优磁场差获取方法，其特征在于，包括以下具体步骤： 根据预置的第一标定炮，以及预置的第二标定炮与第一标定炮之间的预置相对误差，分别计算得到第一标定炮在电子回旋辐射计的各个通道中的第一电子温度分布，以及第二标定炮在电子回旋辐射计的各个通道中的第二电子温度分布； 利用所述第一电子温度分布、所述第二电子温度分布，以及电子回旋辐射计在第一标定炮的第一磁场强度下各个通道的第一辐射信号强度，计算得到电子回旋辐射计在第二标定炮下各个通道的第二辐射信号强度； 根据所述第一辐射信号强度、所述第二辐射信号强度，以及电子回旋辐射计的各个通道分别在第一标定炮和第二标定炮中的测量位置，计算得到电子回旋辐射计的各个通道的标定系数； 利用各个通道的所述标定系数和所述第一辐射信号强度，得到电子回旋辐射计经过标定后的电子温度插值分布，并利用所述电子温度插值分布与预置标准温度插值分布做径向积分对比偏差，得到第二标定炮的分布磁场的准确度分布； 将准确度分布不小于阈值的分布磁场确定为第一磁场强度对应的目标环向磁场，并得到所述目标环向磁场的目标磁场强度； 所述第一电子温度分布具体为： 式中，Tea表示第一电子温度分布，Te0表示第一标定炮的芯部电子温度，R表示托卡马克装置的大半径，R0表示第一标定炮的芯部大半径，a表示托卡马克装置中等离子体的小半径，σ表示峰化参数； 所述第二电子温度分布具体为： 式中，Teb表示第二电子温度分布，Te0表示第一标定炮的芯部电子温度，R表示托卡马克装置的大半径，R0表示第一标定炮的芯部大半径，a表示托卡马克装置中等离子体的小半径，σ表示峰化参数，x％和y％表示预置相对误差； 所述测量位置具体为： 式中，RN表示电子回旋辐射计在其中一个标定炮下第N个通道的测量位置，e表示电子电荷数，R表示该标定炮的芯部大半径，B表示该标定炮的放电磁场强度，me表示电子质量，F0表示电子回旋辐射计的本振频率，fN表示电子回旋辐射计第N个通道的中频频率； 所述准确度分布具体为： 式中，STe表示预置标准温度插值分布，STea表示电子温度插值分布，D表示准确度分布。

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