三星半导体(中国)研究开发有限公司;三星电子株式会社张鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉三星半导体(中国)研究开发有限公司;三星电子株式会社申请的专利半导体封装结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119008567B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411074161.5，技术领域涉及：H01L23/49；该发明授权半导体封装结构及其制造方法是由张鹏设计研发完成，并于2024-08-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体封装结构及其制造方法在说明书摘要公布了：公开了半导体封装结构及其制造方法。所述半导体封装结构包括：支撑基底；芯片堆叠体，包括堆叠在支撑基底上的芯片；第一接头，在支撑基底的第一边缘区域中并具有第一电路层；第二接头，在支撑基底的第二边缘区域中并具有第二电路层，芯片堆叠体在第一接头与第二接头之间；第一键合引线，连接到第一芯片，并在其末端处具有第一触点；第二键合引线，连接到第二芯片，并在其末端处具有第二触点；包封层，在支撑基底上包围芯片堆叠体、第一接头、第二接头、第一键合引线和第二键合引线并暴露第一触点、第二触点、第一电路层和第二电路层；以及再分布层，在包封层上并将第一触点和第二触点分别电连接到第一电路层和第二电路层。
本发明授权半导体封装结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装结构，包括： 支撑基底； 芯片堆叠体，包括堆叠在所述支撑基底上的多个芯片； 第一接头，设置在所述支撑基底的第一边缘区域中，所述第一接头的上表面上形成有第一电路层； 第二接头，设置在所述支撑基底的与所述第一边缘区域相对的第二边缘区域中，所述第二接头的上表面上形成有第二电路层，所述芯片堆叠体位于所述第一接头与所述第二接头之间； 第一键合引线，连接到所述多个芯片中的第一芯片并在其末端处具有第一触点； 第二键合引线，连接到所述多个芯片中的第二芯片并在其末端处具有第二触点； 包封层，在所述支撑基底上包围所述芯片堆叠体、所述第一接头、所述第二接头、所述第一键合引线和所述第二键合引线并暴露所述第一触点、所述第二触点、所述第一电路层和所述第二电路层；以及 再分布层，设置在所述包封层上并将所述第一触点和所述第二触点分别电连接到所述第一电路层和所述第二电路层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星半导体(中国)研究开发有限公司;三星电子株式会社，其通讯地址为：215021 江苏省苏州市工业园区凤里街337号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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