福建省晋华集成电路有限公司冯立伟获国家专利权
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龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119008659B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411095120.4，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体器件是由冯立伟设计研发完成，并于2024-08-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件在说明书摘要公布了：本申请提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：衬底，衬底包括第一区域和围绕第一区域的第二区域；第一浅沟槽隔离结构，位于衬底的第一区域中，第一浅沟槽隔离结构界定出多个第一有源区；第二浅沟槽隔离结构，位于衬底的第二区域中，第二浅沟槽隔离结构围绕第一浅沟槽隔离结构和第一有源区，且第二浅沟槽隔离结构与第一浅沟槽隔离结构间隔设置；多条位线，位于衬底上，位线沿第一方向横跨第一浅沟槽隔离结构和第二浅沟槽隔离结构且沿垂直于第一方向的第二方向间隔排布；至少一虚设位线接触结构，虚设位线接触结构位于第二浅沟槽隔离结构中，且与位线接触。本申请至少解决了位线在周边区倒塌、扭曲，造成器件缺陷及良率损失的问题。
本发明授权半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底包括第一区域和围绕所述第一区域的第二区域； 第一浅沟槽隔离结构，位于所述衬底的所述第一区域中，所述第一浅沟槽隔离结构界定出多个第一有源区； 第二浅沟槽隔离结构，位于所述衬底的所述第二区域中，所述第二浅沟槽隔离结构围绕所述第一浅沟槽隔离结构和所述第一有源区，且所述第二浅沟槽隔离结构与所述第一浅沟槽隔离结构间隔设置； 多条位线，位于所述衬底上，所述位线沿第一方向横跨所述第一浅沟槽隔离结构和所述第二浅沟槽隔离结构且沿垂直于所述第一方向的第二方向间隔排布； 至少一虚设位线接触结构，所述虚设位线接触结构位于所述第二浅沟槽隔离结构中，且与所述位线接触。
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