长鑫存储技术有限公司于业笑获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利一种半导体结构及其制备方法、一种存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119012682B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310552528.9，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权一种半导体结构及其制备方法、一种存储器是由于业笑设计研发完成，并于2023-05-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构及其制备方法、一种存储器在说明书摘要公布了：提供一种半导体结构及其制备方法、一种存储器，涉及半导体技术领域，用于解决列选择器布线复杂的问题，该半导体结构包括：按行和列排布的多个有源区，其中，每行有源区沿第一方向排布；栅极结构，包括子栅极结构，子栅极结构跨设在一列有源区上；子栅极结构包括覆盖有源区的栅极部和电连接相邻栅极部的连接部；其中，同一条子栅极结构中，相邻的栅极部在第一方向上存在偏移。栅极结构中栅极部偏移后，改变栅极结构的布局，使得相邻有源区的间距增大，从而给后续引出线路的设置提供空间。
本发明授权一种半导体结构及其制备方法、一种存储器在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 按行和列排布的多个有源区，其中，每行所述有源区沿第一方向排布； 栅极结构，包括子栅极结构，所述子栅极结构跨设在一列所述有源区上；所述子栅极结构包括覆盖所述有源区的栅极部和电连接相邻所述栅极部的连接部；其中， 同一条所述子栅极结构中，相邻的所述栅极部在第一方向上存在偏移； 其中，同一条所述子栅极结构中，覆盖不同行所述有源区的栅极部之间的间距不同； 所述有源区包括源区和漏区，所述半导体结构还包括多条第一导电线和多条第二导电线，所述第一导电线电连接所述源区或所述漏区，所述第二导电线电连接所述栅极结构，所述第二导电线为列选择线，所述列选择线外接控制信号。
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