长鑫存储技术有限公司刘志拯获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119028930B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310575988.3，技术领域涉及：H01L23/48；该发明授权半导体结构及其形成方法是由刘志拯设计研发完成，并于2023-05-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构包括：基底，基底内具有沿第一方向排布的多层导电互连层，至少位于最顶层的导电互连层整体在基底的顶面上的投影呈环形，第一方向垂直于基底的顶面；介质层，位于基底的顶面上，介质层中具有至少沿第一方向贯穿介质层且与最顶层的导电互连层对准的沟槽，沟槽在基底的顶面上的投影为环形，且沟槽沿第一方向的底部暴露最顶层的导电互连层；导电接触层，连续覆盖沟槽的内壁和介质层的顶面，且导电接触层与最顶层的导电互连层电连接。本公开降低了半导体结构内部的电容耦合效应，实现了对所述半导体结构性能和制造良率的改进。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底，所述基底内具有沿第一方向排布的N层导电互连层，N层所述导电互连层沿所述基底的顶面指向所述基底的底面的方向依次排序，且任意相邻的两层所述导电互连层电连接，所述基底的底面沿所述第一方向与所述基底的顶面相对，N为正整数，所述第一方向垂直于所述基底的顶面； 介质层，位于所述基底的顶面上，所述介质层中具有至少沿所述第一方向贯穿所述介质层且与最顶层的所述导电互连层对准的沟槽，所述沟槽在所述基底的顶面上的投影为环形，其中，第1层至第M层的所述导电互连层中的每一所述导电互连层均包括沿着所述沟槽的底部延伸的延伸部，M为正整数，N≥M，且所述沟槽沿所述第一方向的底部暴露最顶层的导电互连层； 导电接触层，连续覆盖所述沟槽的内壁和所述介质层的顶面，且所述导电接触层与最顶层的所述导电互连层电连接。
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