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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利存储单元结构及其操作方法、存储阵列结构及其操作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119031696B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310562766.8，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权存储单元结构及其操作方法、存储阵列结构及其操作方法是由顾婷婷设计研发完成，并于2023-05-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储单元结构及其操作方法、存储阵列结构及其操作方法在说明书摘要公布了：本公开实施例涉及半导体技术领域，提供一种存储单元结构及其操作方法、存储阵列结构及其操作方法，存储单元结构包括：基底；位于基底表面的第一晶体管，第一晶体管包括第一半导体层、位于第一半导体层相对的两侧的第一栅极和第二栅极、与第一半导体层不同区域电连接的第一电极和第二电极，第一栅极、第二栅极、第一电极和第二电极两两相互绝缘；位于第一晶体管远离基底的一侧的第二晶体管，第二晶体管包括第二半导体层、第三栅极、与第二半导体层不同区域电连接的第三电极和第四电极，第三电极与第一栅极电连接，第三栅极、第三电极和第四电极两两相互绝缘。本公开实施例至少有利于提高存储单元结构的电学性能和提高存储单元结构的集成密度。

本发明授权存储单元结构及其操作方法、存储阵列结构及其操作方法在权利要求书中公布了：1.一种存储单元结构，其特征在于，包括： 基底； 位于所述基底表面的第一晶体管，所述第一晶体管包括第一半导体层、位于所述第一半导体层相对的两侧的第一栅极和第二栅极、以及与所述第一半导体层不同区域电连接的第一电极和第二电极和第一栅介质层、第二栅介质层，所述第一栅极、所述第二栅极、所述第一电极和所述第二电极四者中两两相互绝缘，所述第一半导体层具有相对的第一内侧和第一外侧； 位于所述第一晶体管远离所述基底的一侧的第二晶体管，所述第二晶体管包括第二半导体层、第三栅极、以及与所述第二半导体层不同区域电连接的第三电极和第四电极，所述第三电极还与所述第一栅极电连接，所述第三栅极、所述第三电极和所述第四电极三者中两两相互绝缘； 所述第二栅介质层覆盖所述第一外侧沿垂直于所述基底表面的方向上延伸的区域，沿垂直于所述基底表面的方向上，所述第一电极与所述第一栅介质层的部分侧壁正对，所述第二电极与所述第一栅介质层的部分其他侧壁正对； 隔离层，所述隔离层位于所述第一电极和所述第二栅介质层之间，以及位于所述第二电极和所述第二栅介质层之间； 第一电连接层，所述第一电连接层的一端与所述第一电极电接触，另一端与所述第一半导体层的部分第一顶面电接触； 第二电连接层，所述第二电连接层的一端与所述第二电极电接触，另一端与所述第一半导体层的部分其他第一顶面电接触。

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