长鑫存储技术有限公司韩欣茹获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119031700B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310588475.6，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制备方法是由韩欣茹;马经纶;陈洋设计研发完成，并于2023-05-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构包括衬底，包括间隔排布的多个有源区；多个位线，于衬底上平行间隔排布；位线包括层叠的位线导电层及位线介质层；位线具有第一部分及第二部分；其中，第一部分位于位线与有源区的交叠处，第二部分位于相邻有源区之间，且第二部分的位线导电层的顶面低于第一部分的位线导电层的顶面；多个位线接触结构，位于第一部分与有源区之间。该半导体结构通过将位线设置为位于与有源区相交叠的第一部分以及位于相邻有源区之间的第二部分，并将位线第二部分的位线导电层设置为顶面低于位线第一部分的位线导电层的顶面，如此设置可以减少相邻位线相对的截面积，进而减少相邻位线间的耦合电容效应。
本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底，包括间隔排布的多个有源区； 多个位线，于所述衬底上平行间隔排布；所述位线包括层叠的位线导电层及位线介质层；所述位线具有第一部分及第二部分；其中，所述第一部分位于所述位线与所述有源区的交叠处，所述第二部分位于相邻所述有源区之间，且所述第二部分的所述位线导电层的顶面低于所述第一部分的所述位线导电层的顶面； 多个位线接触结构，位于所述第一部分与所述有源区之间。
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