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龙图腾网获悉西北工业大学申请的专利低介低损耗硅酸镁体系微波介质陶瓷及其低温制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119038979B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411212535.5，技术领域涉及：C04B35/20；该发明授权低介低损耗硅酸镁体系微波介质陶瓷及其低温制备方法是由傅茂森;郭汉举;张芩宇;刘洋洋;马晓设计研发完成，并于2024-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本低介低损耗硅酸镁体系微波介质陶瓷及其低温制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种低介低损耗硅酸镁体系微波介质陶瓷及其低温制备方法。本发明以Mg2SiO4陶瓷为基体，采用Mg2+非化学计量改性，CaTiO3调节温度稳定性以及LiF降低烧结温度，通过传统固相反应法合成了Mg2.1SiO4.1‑xCaTiO3‑yLiF的多相复合微波介质陶瓷，其中x＝0.09～0.13，y＝0.05～0.25。多相复合使制备出的Mg2.1SiO4.1‑xCaTiO3‑yLiF具备低的介电常数、低的介电损耗和接近零的谐振频率温度系数，并且降低了陶瓷样品的烧结温度。本发明可以为LTCC技术制备高频通讯用组件提供一种备选材料，具有广阔的应用前景。

本发明授权低介低损耗硅酸镁体系微波介质陶瓷及其低温制备方法在权利要求书中公布了：1.一种低介低损耗硅酸镁体系微波介质陶瓷的低温制备方法，其特征在于，具体步骤如下： 1一次球磨：将MgO和SiO2按比例混合后进行湿法球磨得到混合浆料S1，将CaCO3和TiO2按比例混合后进行湿法球磨得到混合浆料S2，球磨时间控制在12~16h； 其中，MgO和SiO2按化学式Mg2.1SiO4.1的化学计量比进行配料，CaCO3和TiO2按化学式CaTiO3的化学计量比进行配料； 2一次烘干：将混合浆料S1和混合浆料S2分别置入烘箱中烘干至恒重，得到干燥的混合料S1和混合料S2； 3预烧：将混合料S1过120~200目标准筛分散后在高温炉中进行预烧，合成Mg2.1SiO4.1化合物粉末；将混合料S2过120~200目标准筛分散后在高温炉中进行预烧，合成CaTiO3化合物粉末； 4二次球磨：将Mg2.1SiO4.1、CaTiO3和LiF化合物粉末按比例配好进行湿法球磨形成混合物浆料S3，其中球磨时间控制在4~6h； 其中，LiF和预烧合成的Mg2.1SiO4.1、CaTiO3按化学式Mg2.1SiO4.1-xCaTiO3-yLiF的化学计量比进行配料，其中x=0.09~0.13，y=0.05~0.25； 5二次烘干：将混合物浆料S3置于烘箱中烘干至恒重，得到Mg2.1SiO4.1-xCaTiO3-yLiF混合物粉末； 6造粒：将Mg2.1SiO4.1-xCaTiO3-yLiF混合物粉末过120~200目的标准筛后加入粘合剂，利用玛瑙研钵研磨并混合均匀，获得压制成型用粉末； 7压制成型：将压制成型用粉末压制成陶瓷生胚； 8排胶烧结：将陶瓷生胚放入高温炉中，按一定的升温速率升温到550~700℃，再进行保温以排除粘合剂，保温时间为2~3h，然后再按照相同的升温速率升高温度为850~1000℃，保温时间为3~4h，最后按一定的降温速率降至200~300℃后随炉自然冷却； 由所述方法制备得到的硅酸镁体系微波介质陶瓷的介电常数小于10且可调，可调范围在7.76~8.81，品质因数Q×f＝56821~105803GHz，谐振频率温度系数为τf=-23~-4ppm℃。

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