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浙江大学许辰宇获国家专利权

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龙图腾网获悉浙江大学申请的专利一种基于磁控溅射的Ta3N5基光电极及制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119040940B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411016141.2,技术领域涉及:C25B11/091;该发明授权一种基于磁控溅射的Ta3N5基光电极及制备方法是由许辰宇;张彦威设计研发完成,并于2024-07-27向国家知识产权局提交的专利申请。

一种基于磁控溅射的Ta3N5基光电极及制备方法在说明书摘要公布了:本发明涉及光电催化技术,旨在提供一种基于磁控溅射的Ta3N5基光电极及制备方法。该Ta3N5基光电极是在石英玻璃基底上具有基于磁控溅射并经热氮化和涂覆处理后形成的多层膜结构,由下至上依次包括第一Ti金属层、Pt导电金属层、TixSiy层、Ta3N5层和MNPs纳米金属颗粒;TixSiy层由第二Ti金属层与SiO2层、Ta3N5层由Ta2O5层与NH3分别发生反应后结合转化所形成;MNPs金属颗粒中含有Ag或Cu。本发明能够大幅节省贵金属用量,降低制备成本,扩大应用范围;有利于提高光生载流子的运输,能够极大提升光电利用效率;极大降低两种光热应用界面之间的能量损耗,提升单体光电极的光热利用效率。

本发明授权一种基于磁控溅射的Ta3N5基光电极及制备方法在权利要求书中公布了:1.一种基于磁控溅射的Ta3N5基光电极,其特征在于,该Ta3N5基光电极是以石英玻璃作为基底,在基底上具有基于磁控溅射并经热氮化和涂覆处理后形成的多层膜结构;所述多层膜结构由下至上依次包括第一Ti金属层、Pt导电金属层、TixSiy层、Ta3N5层和MNPs纳米金属颗粒;所述TixSiy层是由第二Ti金属层与SiO2层经热氮化处理发生反应后结合转化所形成的均一材质层,Ta3N5层是由Ta2O5层与NH3发生反应后结合转化所形成的均一材质层;所述MNPs金属颗粒中含有Ag或Cu,M指代具有光热特性的Ag或Cu;所述TixSiy层名称中的x和y根据第二Ti金属层与SiO2层的厚度比xy来确定,且xy的取值范围为0.02~5。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人浙江大学,其通讯地址为:310058 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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