浙江工业大学吕斌获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉浙江工业大学申请的专利半导体异质结IV输出扭曲效应的模型及参数提取方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119047395B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410982721.0，技术领域涉及：G06F30/367；该发明授权半导体异质结IV输出扭曲效应的模型及参数提取方法是由吕斌;方昕;李姝莹;陈乃波;高凡;邓娟;鄢波设计研发完成，并于2024-07-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体异质结IV输出扭曲效应的模型及参数提取方法在说明书摘要公布了：一种半导体异质结IV输出扭曲效应的模型及参数提取方法，该方法基于一个电路模型用来描述窗口层导带势垒对异质结IV特性的影响，所述的电路模型包含三个二极管，即描述PN结中P区和N区耗尽区所对应的两个光二极管以及描述异质结界面窗口层导带势垒导致的旁路二极管。本发明能够利用特征指标对电池出现扭曲效应的原因进行快速归类，然后利用特征指标和材料参数的对应关系定位出现扭曲效应的原因，指导生产或研发工艺的改进。
本发明授权半导体异质结IV输出扭曲效应的模型及参数提取方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体异质结IV输出扭曲效应的模型及参数提取方法，其特征在于，该方法基于一个电路模型用来描述窗口层导带势垒对异质结IV特性的影响，所述的电路模型包含三个二极管，即描述PN结中P区和N区耗尽区所对应的两个光二极管以及描述异质结界面窗口层导带势垒导致的旁路二极管，n型区和p型区所对应的两个光二极管呈同方向串联关系，旁路二极管和n型区对应的光二极管呈并联关系；旁路二极管中，当异质结n型材料的导带高于p型材料的导带时，旁路二极管和光二极管是反向的，当异质结n型材料的导带低于p型材料的导带时，旁路二极管和光二极管是同向的； 所述光二极管和旁路二极管的参数用异质结器件的亮IV曲线拟合得到，通过计算旁路二极管的饱和电流J0和理想因子n定量比较不同异质结窗口层势垒和界面复合程度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人浙江工业大学，其通讯地址为：310014 浙江省杭州市拱墅区朝晖六区潮王路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励