中国人民解放军国防科技大学吴微微获国家专利权
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龙图腾网获悉中国人民解放军国防科技大学申请的专利可调控的低剖面双极化A-T-A吸透超构表面和天线罩获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119050679B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411493450.9，技术领域涉及：H01Q15/00；该发明授权可调控的低剖面双极化A-T-A吸透超构表面和天线罩是由吴微微;林朋;袁乃昌;张晓发;王超;黄敬健;施庆展;崔开博;陈曦;王青平设计研发完成，并于2024-10-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本可调控的低剖面双极化A-T-A吸透超构表面和天线罩在说明书摘要公布了：本发明属于可调控超材料和天线罩技术领域，具体涉及一种可调控的低剖面双极化A‑T‑A吸透超构表面和天线罩，包括层叠设置的吸波屏和透波屏；所述吸波屏包括多个周期性阵列分布的吸波屏单元，所述吸波屏单元包括介质基板Ⅰ、附着在介质基板Ⅰ上表面的金属箔微单元以及加载在金属箔微单元上的耗能件；本发明提高对金属的RCS缩减效果，能使天线在Ku波段内保持良好的辐射特性，能自由收发通信；同时，在通带两侧的X波段和Ku波段内有很好的吸波性能，使天线的RCS降低，实现天线的隐身目的。
本发明授权可调控的低剖面双极化A-T-A吸透超构表面和天线罩在权利要求书中公布了：1.一种可调控的低剖面双极化A-T-A吸透超构表面，其特征是，包括层叠设置的吸波屏和透波屏； 所述吸波屏包括多个周期性阵列分布的吸波屏单元1，所述吸波屏单元1包括介质基板Ⅰ11、附着在介质基板Ⅰ11上表面的金属箔微单元12以及加载在金属箔微单元12上的耗能件13； 所述金属箔微单元12由金属丝121弯折闭合形成，包括至少2个以介质基板Ⅰ11中心点为中心对称分布的金属杆，所述金属杆由2根平行的金属丝121构成，所述金属杆包括主杆122和4个与主杆122垂直的分杆123； 介质基板Ⅰ11中心点向外延伸的方向，分别为分杆a、分杆b、分杆c、分杆d，所述分杆123的长度先增大，再减小，最长的分杆d位于最外侧； 每个所述金属杆上设置有2个所述耗能件13，其中1个耗能件13位于分杆d上，另一个耗能件13位于分杆b和分杆c之间； 所述耗能件13设置在分杆123的中心，所述耗能件13包括两个相对设置的金属贴片131以及位于金属贴片131之间的电阻132。
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