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龙图腾网获悉上海交通大学申请的专利一种电火花加工放电等离子体调控电路及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119057160B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411463424.1，技术领域涉及：B23H1/02；该发明授权一种电火花加工放电等离子体调控电路及方法是由张亚欧;高强;卢军成;陆以凡;廖华林;吴泽宇;夏义豪设计研发完成，并于2024-10-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种电火花加工放电等离子体调控电路及方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种电火花加工放电等离子体调控电路及方法，涉及电火花放电加工技术领域，该电路中核心控制单元用于在长脉宽加工工序过程中，控制每一电阻限流回路的MOS管导通不同的回路，产生不同幅值的振荡电流；核心控制单元用于在短脉宽加工工序过程中产生叠加于矩形电流的尖峰电流，并在脉冲持续期间控制MOS管Qscc导通、MOS管Qscd关断，使尖峰电容Csc充电至尖峰电压值；每当放电脉冲结束、基础矩形放电电流下降至0时，控制MOS管Qscc关断、MOS管Qscd导通，使尖峰电容Csc放电产生尖峰电流。本申请能够实现对放电等离子体的针对性调控，从而大幅促进熔融金属抛出，提高放电加工效率、降低再铸层厚度。

本发明授权一种电火花加工放电等离子体调控电路及方法在权利要求书中公布了：1.一种电火花加工放电等离子体调控电路，其特征在于，包括：核心控制单元、尖峰产生回路以及振荡电流回路； 所述核心控制单元分别与尖峰产生回路以及振荡电流回路连接； 所述尖峰产生回路包括：尖峰电容Csc、MOS管Qscc以及MOS管Qscd；尖峰电容Csc与MOS管Qscc串联后并联至直流电源DC两端；尖峰电容Csc与MOS管Qscd串联后并联至放电间隙两端；所述尖峰产生回路用于在放电过程中叠加产生一个电流尖峰； 所述振荡电流回路包括：四路相同的电阻限流回路；每一电阻限流回路包括：串联的MOS管和电阻；四组回路并联至放电间隙两端； 所述核心控制单元用于在长脉宽加工工序过程中，控制每一电阻限流回路的MOS管导通不同的回路，产生不同振荡起始时刻和幅值的振荡电流；所述核心控制单元还用于在短脉宽加工工序过程中，控制产生电流尖峰，在脉冲持续期间控制MOS管Qscc导通、MOS管Qscd关断，使尖峰电容Csc充电至尖峰电压值；每当放电脉冲结束、基础矩形放电电流下降至0时，控制MOS管Qscc关断、MOS管Qscd导通，使尖峰电容Csc放电产生尖峰电流。

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