福建省晋华集成电路有限公司张钦福获国家专利权
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龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利半导体器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119110582B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411245364.6，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体器件及其制作方法是由张钦福;许艺蓉;王友长设计研发完成，并于2024-09-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体器件及其制作方法，涉及半导体技术领域，用于解决半导体器件性能较差的技术问题。该半导体器件包括：衬底；栅极沟槽，位于衬底内；栅极介电层，位于衬底内，覆盖栅极沟槽内表面；栅极结构，位于栅极介电层上，并填充栅极沟槽，栅极结构包括金属层和导电层；金属层包括：多个第一晶粒；多个第二晶粒，位于第一晶粒上，第一晶粒与第二晶粒含有相同的金属元素，且第二晶粒的晶粒尺寸小于至少部分第一晶粒的晶粒尺寸；导电层位于第二晶粒上；导电层与第二晶粒通过氧隔离，氧远离第一晶粒的一侧与导电层接触。上述半导体器件的栅极结构中，第二晶粒与导电层没有直接接触，可以减少栅极诱导漏极泄漏电流，提高半导体器件的性能。
本发明授权半导体器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 衬底； 栅极沟槽，位于所述衬底内； 栅极介电层，位于衬底内，覆盖所述栅极沟槽内表面； 栅极结构，位于所述栅极介电层上，并填充所述栅极沟槽，所述栅极结构包括金属层和导电层； 所述金属层包括： 多个第一晶粒； 多个第二晶粒，位于所述第一晶粒上，所述第一晶粒与所述第二晶粒含有相同的金属元素，且所述第二晶粒的晶粒尺寸小于至少部分所述第一晶粒的晶粒尺寸； 所述导电层位于所述第二晶粒上； 其中，所述导电层与所述第二晶粒通过氧隔离，所述氧远离所述第一晶粒的一侧与所述导电层接触。
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