湘能华磊光电股份有限公司徐平获国家专利权
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龙图腾网获悉湘能华磊光电股份有限公司申请的专利一种发光二极管芯片制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119133337B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411082584.1，技术领域涉及：H10H20/84；该发明授权一种发光二极管芯片制作方法是由徐平;许亚兵;王建长;汪延明设计研发完成，并于2024-08-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种发光二极管芯片制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种发光二极管芯片制备方法，依次包含在外延片上制作ITO层、生长Al2O3层、沉积SiNx层、旋涂正性光刻胶掩膜层，然后通过高能离子束轰击的方法将光刻胶掩膜层碳化形成纳米级的山状纹理，再蚀刻SiNx钝化层及覆盖其上的碳化光刻胶掩膜层，在SiNx层表面分布形成纳米级的山状纹理，最后将外延片选择性地蚀刻到n‑GaN层形成台阶，并沉积p型和n型金属电极，得到表面形成有纳米级山状纹理的LED器件。本发明方法可以提高LED器件的出光效率，还有利于提高LED器件抗静电能力。
本发明授权一种发光二极管芯片制作方法在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管芯片制作方法，其特征包含以下步骤： 步骤一、采用溅射镀膜方法在外延片上制作ITO层； 步骤二、利用原子层沉积方法在ITO层上生长Al2O3层； 步骤三、采用等离子体增强化学气相沉积方法在Al2O3层上沉积SiNx层作为钝化层，其中，SiNx层沉积过程中控制SiH4与NH3的流量比渐变增加； 步骤四、在SiNx层上旋涂正性光刻胶掩膜层； 步骤五、通过离子束刻蚀的高能离子束轰击光刻胶掩膜层，将光刻胶掩膜层碳化，在碳化后光刻胶掩膜层的表面分布形成纳米级的山状纹理； 步骤六、采用干法刻蚀方法蚀刻SiNx钝化层及覆盖其上的碳化光刻胶掩膜层，以将碳化光刻胶掩膜层表面的纳米级山状纹理图案传递到SiNx层表面，在SiNx层表面分布形成纳米级的山状纹理； 步骤七、通过ICP刻蚀将外延片蚀刻到n-GaN层形成台阶； 步骤八、沉积p型和n型金属电极，最终得到表面具有纳米级山状纹理的LED器件。
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