长鑫存储技术有限公司王中磊获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119136535B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310672000.5，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制作方法是由王中磊设计研发完成，并于2023-06-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体结构及其制作方法，涉及半导体技术领域，用于改善字线结构电阻较大的技术问题。该半导体结构的制作方法包括：在基底内形成字线沟槽；形成随形覆盖字线沟槽的栅介质层；形成随形覆盖栅介质层的扩散阻挡层，其中，位于字线沟槽中的扩散阻挡层包括第一子部和除第一子部之外的剩余子部；覆盖剩余子部并暴露第一子部，氧化部分第一子部；在字线沟槽内形成覆盖扩散阻挡层的金属层，其中，在形成金属层的过程中，被氧化的第一子部与用于形成金属层的前驱体反应而被去除，以减少字线沟槽内扩散阻挡层的体积，增大字线沟槽的金属层的体积，降低电阻。此外，被氧化的第一子部无需单独去除，简化半导体结构的制作。
本发明授权半导体结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括： 在基底内形成字线沟槽； 形成随形覆盖所述字线沟槽的栅介质层； 形成随形覆盖所述栅介质层的扩散阻挡层，其中，位于所述字线沟槽中的所述扩散阻挡层包括第一子部和除所述第一子部之外的剩余子部； 覆盖所述剩余子部并暴露所述第一子部，氧化部分所述第一子部； 在所述字线沟槽内形成覆盖所述扩散阻挡层的金属层，其中，在形成所述金属层的过程中，被氧化的所述第一子部与用于形成所述金属层的前驱体反应而被去除。
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