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龙图腾网获悉海信家电集团股份有限公司申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119153503B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411044621.X，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权半导体装置是由聂碧颖;储金星;史世平设计研发完成，并于2024-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体装置，半导体装置包括：半导体基体，其具有第一主面和第二主面，第一主面和第二主面在第一方向上间隔设置，半导体基体包括绝缘栅双极型晶体管区域，绝缘栅双极型晶体管区域包括第一区域，第一区域中设置有第一子漂移层和第二子漂移层，第一子漂移层相较于第二子漂移层在第一方向上更加邻近第一主面；沟槽，沟槽的深度方到达漂移层，沟槽为多个，多个沟槽中的至少一个伸入第一区域的第一子漂移层中。由此，在半导体装置正向关断时，第一区域中的第一子漂移层和第二子漂移层可以形成阻塞结，该阻塞结不仅可以主要承担电场而且还可以辅助耗尽载流子，从而可以降低峰值电压，提高反向耐压性和击穿电压耐测性。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包括： 半导体基体1，具有第一主面101及与所述第一主面101相反的第二主面102，所述第一主面101和所述第二主面102在第一方向上间隔设置； 漂移层2，所述漂移层2设置于所述半导体基体1且位于所述第一主面101和所述第二主面102之间，所述半导体基体1包括绝缘栅双极型晶体管区域103和快恢复二极管区域104，所述绝缘栅双极型晶体管区域103周向环绕设置于所述快恢复二极管区域104的外侧； 所述漂移层2包括第一漂移层201和第二漂移层202，所述第二漂移层202为第一导电类型且位于所述快恢复二极管区域104，所述第一漂移层201位于所述绝缘栅双极型晶体管区域103且包括第一导电类型的第一子漂移层2011和第二导电类型的第二子漂移层2012，所述绝缘栅双极型晶体管区域103包括第一区域1031和第二区域1032，所述第一区域1031邻近所述快恢复二极管区域104，所述第二区域1032远离所述快恢复二极管区域104； 所述第一区域1031中设置有所述第一子漂移层2011和所述第二子漂移层2012，所述第一子漂移层2011相较于所述第二子漂移层2012在第一方向上更加邻近所述第一主面101； 所述第二区域1032中也设置有所述第一子漂移层2011和所述第二子漂移层2012，在所述第二区域1032中，所述第二子漂移层2012相较于所述第一子漂移层2011在第一方向上更加邻近所述第一主面101； 第二导电类型的基层3，所述基层3设置于所述漂移层2朝向所述第一主面101的一侧，所述基层3远离所述漂移层2的一侧表面构成所述第一主面101的一部分； 发射极金属层4，所述发射极金属层4设置于所述第一主面101； 沟槽5，所述沟槽5的深度方向从所述第一主面101贯穿所述基层3且到达所述漂移层2中，所述沟槽5为多个，多个所述沟槽5在第二方向上间隔设置，多个所述沟槽5中的至少一个伸入所述第一区域1031的所述第一子漂移层2011中； 第二导电类型的集电极层601和第一导电类型的阴极层602，所述集电极层601设置于所述第一漂移层201朝向所述第二主面102的一侧，所述集电极层601远离所述漂移层2的一侧构成所述第二主面102的至少部分，所述集电极层601位于所述绝缘栅双极型晶体管区域103中； 所述阴极层602设置于所述第二漂移层202朝向所述第二主面102的一侧，所述阴极层602远离所述漂移层2的一侧构成所述第二主面102的至少部分，所述阴极层602位于所述快恢复二极管区域104中； 集电极金属层7，所述集电极金属层7设置于所述第二主面102。

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