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龙图腾网获悉海信家电集团股份有限公司申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119153540B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411047006.4，技术领域涉及：H10D8/00；该发明授权半导体装置是由张永旺;陈道坤;储金星;刘恒;杨晶杰设计研发完成，并于2024-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体装置，半导体装置包括：基体；第一导电类型的基区；第一导电类型的场截止层；阴极金属层；第二导电类型的发射极层，发射极层设置于基区朝向第一主面的一侧，发射极层背离基区的一侧构成第一主面的至少部分；阳极金属层；第一导电类型的埋层，埋层设置于发射极层内，埋层与发射极层在第一方向的两侧均间隔设置。由此，通过在发射极层设置埋层，使埋层与发射极层在第一方向的两侧均间隔设置，这样可以在半导体装置内引入方向相反的第一寄生结和第二寄生结，在不影响或较小地影响半导体装置的正向导通性能的前提下，提升半导体装置的雪崩耐量，防止半导体装置的热损坏。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包括： 基体10，所述基体10具有第一主面101及与第一主面101相反侧的第二主面102，所述第一主面101和所述第二主面102在第一方向上间隔设置； 第一导电类型的基区11，所述基区11设置于所述基体10且位于所述第一主面101和所述第二主面102之间； 第一导电类型的场截止层12，所述场截止层12设置于所述基区11朝向所述第二主面102的一侧，所述场截止层12背离所述基区11的一侧构成所述第二主面102的至少部分； 阴极金属层20，所述阴极金属层20设置于所述第二主面102； 第二导电类型的发射极层13，所述发射极层13设置于所述基区11朝向所述第一主面101的一侧，所述发射极层13背离所述基区11的一侧构成所述第一主面101的至少部分； 阳极金属层30，所述阳极金属层30设置于所述第一主面101； 第一导电类型的埋层14，所述埋层14设置于所述发射极层13内，所述埋层14与所述发射极层13在第一方向的两侧均间隔设置。

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